| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-25页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·高 K 材料的发展概况 | 第14-17页 |
| ·金属-氧化物-半导体场效应晶体管的结构和原理 | 第14-15页 |
| ·MOSFET 的等比例缩小和栅介电层的极限厚度 | 第15-16页 |
| ·高介电栅介质材料选择标准 | 第16-17页 |
| ·高介电栅介质材料的研究现状 | 第17页 |
| ·稀土高 K 材料和优势 | 第17页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第17-19页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition, PLD) | 第18页 |
| ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE) | 第18页 |
| ·化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD) | 第18-19页 |
| ·原子层沉积(ALD)技术 | 第19-21页 |
| ·ALD 的应用与原理 | 第19-20页 |
| ·ALD 的技术优点 | 第20-21页 |
| ·适合 ALD 的前驱体 | 第21页 |
| ·稀土配合物 | 第21-24页 |
| ·稀土化学基本原理 | 第21-22页 |
| ·稀土配合物的合成实例 | 第22-24页 |
| ·脒型钇配合物合成 | 第22-23页 |
| ·以 Hmmp 为配体的稀土化合物的合成 | 第23-24页 |
| ·本文研究的内容 | 第24-25页 |
| 第二章 单官能化烷氧基稀土配合物的合成及表征 | 第25-44页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·实验部分 | 第25-31页 |
| ·实验试剂 | 第26页 |
| ·实验仪器 | 第26-27页 |
| ·溶剂和试剂的处理 | 第27页 |
| ·分析和测试 | 第27页 |
| ·熔点测定 | 第27页 |
| ·碳，氢和氮含量的分析 | 第27页 |
| ·~1H {~(13)C}NMR 谱分析 | 第27页 |
| ·晶体结构测定 | 第27页 |
| ·原料的合成 | 第27-28页 |
| ·无水三氯化镧的制备 | 第27-28页 |
| ·无水三氯化钆的制备 | 第28页 |
| ·La[N(SiMe_3)_2]_3合成及纯化 | 第28页 |
| ·Gd[N(SiMe_3)_2]_3合成及纯化 | 第28页 |
| ·配体的合成 | 第28-29页 |
| ·1-二乙胺异丙醇(1a) | 第28-29页 |
| ·稀土配合物的合成 | 第29-30页 |
| ·[La(OCH_2CH_2NMe_2)_3] (2a)配合物的合成 | 第29页 |
| ·[Gd(OCH_2CH_2NMe_2)_3] (2b)配合物的合成 | 第29页 |
| ·[La(OCH_2CH_2NEt_2)_3] (2c)配合物的合成 | 第29-30页 |
| ·[Gd(OCH_2CH_2NEt_2)_3] (2d)配合物的合成 | 第30页 |
| ·Li_(12)[La(OCHMeCH_2NEt_2)_3]_4OCl_(10)(2e)配合物的合成 | 第30页 |
| ·Li_(12)[Gd(OCHMeCH_2NEt_2)_3]_4OCl_(10)(2f)配合物的合成 | 第30页 |
| ·以 Ln[N(SiMe_3)_2]_3(Ln = La, Gd)为原料合成稀土配合物 | 第30-31页 |
| ·[La(OCHMeCH_2NEt_2)_3] (2g)配合物的合成 | 第30-31页 |
| ·[Gd(OCHMeCH_2NEt_2)_3] (2h)配合物的合成 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·实验方案的选择 | 第31-32页 |
| ·配体的选择 | 第31页 |
| ·合成路线的选择 | 第31-32页 |
| ·测试结果分析 | 第32-39页 |
| ·核磁共振 | 第32-33页 |
| ·X-射线单晶衍射 | 第33-39页 |
| ·本章小节 | 第39-44页 |
| 第三章 多官能化烷氧基稀土配合物的合成与表征 | 第44-72页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-51页 |
| ·实验试剂 | 第45-46页 |
| ·实验仪器 | 第46页 |
| ·溶剂和试剂的处理 | 第46页 |
| ·分析和测试 | 第46-47页 |
| ·碳，氢和氮含量的元素分析 | 第46页 |
| ·~1H {~(13)C}NMR 谱分析 | 第46-47页 |
| ·晶体结构测定 | 第47页 |
| ·原料的制备 | 第47-48页 |
| ·无水三氯化镧的制备 | 第47页 |
| ·无水三氯化钆的制备 | 第47页 |
| ·La[N(SiMe_3)_2]_3合成及纯化 | 第47页 |
| ·Gd[N(SiMe_3)_2]_3合成及纯化 | 第47-48页 |
| ·配体的制备 | 第48-49页 |
| ·1,3-二(二甲胺)异丙醇(1b)的合成 | 第48页 |
| ·1,3-二(二乙胺)异丙醇(1c)的合成 | 第48-49页 |
| ·1,3-二甲氧基异丙醇(1e)的合成 | 第49页 |
| ·1,3-二乙氧基异丙醇(1f)的合成 | 第49页 |
| ·稀土配合物制备 | 第49-51页 |
| ·La[OCH(CH_2NMe_2)_2]_3(3a)的合成 | 第49-50页 |
| ·Gd[OCH(CH_2NMe_2)_2]_3(3b)的合成 | 第50页 |
| ·La[OCH(CH_2NEt_2)_2]_3(3c)的合成 | 第50页 |
| ·Gd[OCH(CH_2NEt_2)_2]_3(3d)的合成 | 第50页 |
| ·La[OCH(CH_2OMe)_2]_3(3e)的合成 | 第50-51页 |
| ·Gd[OCH(CH_2OMe)_2]_3(3f)的合成 | 第51页 |
| ·La[OCH(CH_2OEt)_2]_3(3g)的合成 | 第51页 |
| ·Gd[OCH(CH_2OEt)_2]_3(3h)的合成 | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-64页 |
| ·实验方案的选择 | 第51-53页 |
| ·配体的选择 | 第51-52页 |
| ·合成方法的选择 | 第52-53页 |
| ·测试结构分析 | 第53-64页 |
| ·核磁共振 | 第53页 |
| ·X-射线单晶衍射 | 第53-63页 |
| ·热分析（TG-DSC） | 第63-64页 |
| ·本章小节 | 第64-72页 |
| 第四章 总结与展望 | 第72-74页 |
| ·总结 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第82页 |
