| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-18页 |
| ·自旋电子学概述 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体(DMSs) | 第12-16页 |
| ·DMSs 的磁性来源 | 第12-15页 |
| ·IV 族基 DMSs 的研究现状 | 第15-16页 |
| ·本文的选题依据与主要研究工作 | 第16-18页 |
| 2 实验方法 | 第18-22页 |
| ·制备原理与仪器 | 第18-19页 |
| ·离子束溅射 | 第18页 |
| ·离子注入 | 第18-19页 |
| ·样品性能表征方法 | 第19-22页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第19页 |
| ·X 射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第19-20页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第20页 |
| ·扫描探针显微镜(SPM) | 第20-21页 |
| ·物理性能测量系统(PPMS-9) | 第21-22页 |
| 3 Fe、N 共注入 Si 半导体的结构及磁性 | 第22-29页 |
| ·样品的制备 | 第22页 |
| ·样品的结构 | 第22-25页 |
| ·样品的磁学性质 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 4 Fe 注入 Si_(1-x)Ge_x薄膜的结构及磁性 | 第29-48页 |
| ·样品的制备 | 第29页 |
| ·Fe 注入深度的计算 | 第29-32页 |
| ·样品结构分析 | 第32-39页 |
| ·样品的磁学性质与输运性质 | 第39-43页 |
| ·铁磁性机理的第一性原理计算 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 5 C 的引入对 Fe 注入 Si_(0.791)Ge_(0.209)薄膜结构及磁性的影响 | 第48-57页 |
| ·样品的制备 | 第48页 |
| ·母体薄膜与 Si 衬底的晶格匹配度 | 第48-50页 |
| ·Fe 注入深度的计算 | 第50-51页 |
| ·样品的结构分析 | 第51-54页 |
| ·样品的磁学性质与输运性质研究 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6 载流子类型对 Cu 注入 Si 半导体铁磁性的影响 | 第57-65页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·样品的制备 | 第57-58页 |
| ·样品的结构特征及各元素价态分析 | 第58-61页 |
| ·样品的磁学性质与输运性质 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 7 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果清单 | 第77页 |
