90纳米CMOS工艺下单粒子效应引起的电荷共享研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·课题研究背景 | 第12-18页 |
| ·辐射环境 | 第12-16页 |
| ·电离辐射效应 | 第16-18页 |
| ·CMOS 尺寸缩小 | 第18-21页 |
| ·摩尔定律 | 第18-19页 |
| ·尺寸缩小的挑战 | 第19-21页 |
| ·电荷共享研究现状 | 第21-31页 |
| ·电荷的产生 | 第21-22页 |
| ·电荷的收集 | 第22-24页 |
| ·电荷共享的机理 | 第24-26页 |
| ·建模和模拟技术 | 第26-30页 |
| ·电荷共享的实验 | 第30-31页 |
| ·电荷共享的加固 | 第31页 |
| ·本文的研究内容 | 第31-32页 |
| ·论文的组织结构 | 第32-34页 |
| 第二章 90 纳米CMOS 器件模型 | 第34-39页 |
| ·模型建立 | 第34-35页 |
| ·器件校准 | 第35-36页 |
| ·TCAD 模拟流程 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 P+深阱掺杂对电荷共享的影响 | 第39-49页 |
| ·介绍 | 第39页 |
| ·模拟流程和设置 | 第39-40页 |
| ·模拟结果 | 第40-43页 |
| ·NMOS | 第40-41页 |
| ·PMOS | 第41-43页 |
| ·结果分析 | 第43-47页 |
| ·对电荷产生的影响 | 第43页 |
| ·对PMOS 电荷共享的影响 | 第43-46页 |
| ·对NMOS 电荷共享的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 STI 纵横比对电荷共享的影响 | 第49-54页 |
| ·介绍 | 第49页 |
| ·STI 纵横比 | 第49-53页 |
| ·模拟设置 | 第49-50页 |
| ·电流形状分析 | 第50-52页 |
| ·电荷收集分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 器件版图排布对电荷共享的影响 | 第54-60页 |
| ·介绍 | 第54-55页 |
| ·器件版图排布模拟 | 第55-59页 |
| ·模拟设置 | 第55-56页 |
| ·模拟结果 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 研究总结与工作展望 | 第60-62页 |
| ·研究总结 | 第60页 |
| ·工作展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第69-70页 |
| 附录A 缩略语说明 | 第70-71页 |
