首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

半导体脉冲功率器件RSD的热学性质研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目录第6-8页
1 绪论第8-13页
   ·脉冲功率技术以及开关技术概述第8-10页
   ·功率器件热学性质以及趋肤效应第10-12页
   ·本论文的主要研究内容第12-13页
2 RSD 器件的基本原理第13-22页
   ·引言第13-14页
   ·RSD 器件的基本单元结构第14-15页
   ·RSD 器件的基本工作原理第15-19页
   ·RSD 器件的相关应用电路第19-21页
   ·本章小结第21-22页
3 RSD 器件的热阻特性研究第22-37页
   ·引言第22-23页
   ·功率器件封装热阻的基本理论第23-27页
   ·RSD 器件的封装结构研究第27-29页
   ·RSD 器件封装热阻的研究第29-36页
   ·本章小结第36-37页
4 RSD 器件的趋肤效应研究第37-51页
   ·引言第37-38页
   ·趋肤效应的基本理论第38-42页
   ·RSD 器件的趋肤效应第42-43页
   ·脉冲电流下RSD 器件趋肤效应的有限元研究第43-50页
   ·本章小结第50-51页
5 全文总结与展望第51-53页
致谢第53-55页
参考文献第55-58页

论文共58页,点击 下载论文
上一篇:BST薄膜的射频溅射沉积及性能研究
下一篇:高性能SigmaDelta调制器的研究及实现