| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·磁光存储的研究现状 | 第8-9页 |
| ·磁光存储的基本原理 | 第9-10页 |
| ·磁光存储介质的研究现状及趋势 | 第10-14页 |
| ·理想的磁光记录材料应具备的基本性能 | 第10-11页 |
| ·第一代磁光薄膜非晶态RE-TM合金薄膜 | 第11-12页 |
| ·第二代磁光薄膜—Pt(Pd)/Co多层膜 | 第12-13页 |
| ·MnBi合金膜 | 第13页 |
| ·其它磁光存储材料 | 第13-14页 |
| ·磁光记录介质的主要参数 | 第14页 |
| ·提高磁光盘存储密度的技术 | 第14-18页 |
| ·短波长磁光记录和读出技术 | 第15页 |
| ·磁致超分辨(MSR)读出技术 | 第15-16页 |
| ·畴壁移动检检测技术(DWDD) | 第16-17页 |
| ·磁畴放大读出技术(MAMMOS) | 第17页 |
| ·三维磁光记录技术 | 第17-18页 |
| ·稀土-过渡族金属TbFeCo磁光记录薄膜研究的进展和和需要解决的问题 | 第18-20页 |
| 第二章 样品制备 | 第20-30页 |
| 引言 | 第20页 |
| ·磁控溅射的制备原理 | 第20-24页 |
| ·直流磁控溅射法 | 第20-21页 |
| ·射频溅射法 | 第21-22页 |
| ·JGP560CVⅢ型磁控溅射仪简介 | 第22-23页 |
| ·溅射产额 | 第23-24页 |
| ·衬底的处理方法 | 第24页 |
| ·TbFeCo系列样品的制备 | 第24-28页 |
| ·AlN、SiN保护层的制备 | 第28-29页 |
| ·反应溅射工作原理 | 第28-29页 |
| ·AlN、SiN薄膜的制备 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 TbFeCo薄膜成分和结构分析 | 第30-42页 |
| 引言 | 第30页 |
| ·X射线能量色散谱仪(EDS)的测试结果及分析 | 第30-34页 |
| ·EDS的工作原理 | 第30-31页 |
| ·EDS的测量结果及分析 | 第31-34页 |
| ·X射线衍射仪(XRD)的测试结果及分析 | 第34-36页 |
| ·TbFeCo/Si的测试结果及分析 | 第35-36页 |
| ·Ag/TbFeCo的测试结果及分析 | 第36页 |
| ·TbFeCo薄膜的表面形貌表征 | 第36-40页 |
| ·SEM测试结果及分析 | 第37-38页 |
| ·AFM测试及结果分析 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 光学性质分析 | 第42-62页 |
| 引言 | 第42页 |
| ·椭圆偏振光谱仪原理 | 第42-44页 |
| ·测量原理 | 第42-44页 |
| ·溅射工艺对TbFeCo薄膜光学性质的影响 | 第44-53页 |
| ·气压对TbFeCo薄膜光学性质的影响 | 第45-48页 |
| ·溅射功率对TbFeCo薄膜光学性质的影响 | 第48-51页 |
| ·Ar气流量对TbFeCo薄膜光学性质的影响 | 第51-53页 |
| ·对Ag/Si、Ag/TbFeCo/Si、TbFeCo/Si系列样品的椭圆偏振光谱分析 | 第53-58页 |
| ·Ag厚度对Ag/TbFeco/Si薄膜光学性质的影响 | 第53-56页 |
| ·Ag/Si、Ag/TbFeCo/Si、TbFeCo/Si样品的光谱比较 | 第56-57页 |
| ·不同衬底对TbFeCo薄膜的光学性质的影响 | 第57-58页 |
| ·保护膜AlN和SiN薄膜的光学特性与溅射工艺的关系 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 磁光性质及磁性分析 | 第62-72页 |
| 引言 | 第62页 |
| ·TbFeCo薄膜的磁光性质 | 第62-66页 |
| ·Ag保护膜对TbFeCo薄膜磁光性质的影响 | 第63-65页 |
| ·Ag保护膜厚度对TbFeCo薄膜磁光性质的影响 | 第65-66页 |
| ·TbFeCo薄膜的磁性质 | 第66-69页 |
| ·没有Ag保护膜时TbFeCo磁光薄膜的磁性质 | 第68-69页 |
| ·加Ag保护膜后TbFeCo磁光薄膜的磁性质 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 附录:发表论文及参加课题 | 第80-81页 |
