| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 符号表 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-20页 |
| 1-1 课题的研究背景和意义 | 第13-15页 |
| 1-2 GaN MOSFET器件的研究现状 | 第15-16页 |
| 1-3 本论文的工作及内容安排 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 Sentaurus器件和工艺仿真工具 | 第20-26页 |
| 2-1 TCAD工具简介 | 第20-21页 |
| 2-2 Sentaurus-Process工艺仿真工具 | 第21-22页 |
| 2-3 Sentaurus-Device物理特性仿真工具 | 第22-24页 |
| 2-4 Sentaurus-WorkBench TCAD设计平台 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第三章 器件结构与物理模型参数 | 第26-36页 |
| 3-1 器件结构 | 第26页 |
| 3-2 物理模型与参数 | 第26-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第四章 GaN MOSFET直流特性的数值模拟 | 第36-53页 |
| 4-1 基本的直流特性曲线与实验对比 | 第36-39页 |
| 4-2 转移特性模拟 | 第39-46页 |
| 4-3 输出特性模拟 | 第46-51页 |
| 4-4 小结 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第五章 GaN MOSFET温度特性的数值模拟 | 第53-62页 |
| 5-1 高温特性与实验对比 | 第53-56页 |
| 5-2 温度特性模拟 | 第56-60页 |
| 5-3 小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第六章 GaN MOSFET交流特性的数值模拟 | 第62-72页 |
| 6-1 GaN MOSFET器件交流特性分析方法 | 第62-64页 |
| 6-2 器件结构参数对截止频率f_T的影响 | 第64-70页 |
| 6-3 小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第七章 结论 | 第72-73页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第75页 |
