| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·气敏传感器的定义以及分类 | 第9-11页 |
| ·电阻式气敏传感器的主要特性参数 | 第11-13页 |
| ·WO_3 薄膜晶体结构以及国内外WO_3 薄膜气敏传感器的研究与发展概况 | 第13-15页 |
| ·WO_3薄膜晶体结构 | 第13-14页 |
| ·国内外WO_3薄膜气敏传感器的研究与发展概况 | 第14-15页 |
| ·多孔硅技术及国内外多孔硅气敏传感器研究概况 | 第15-17页 |
| ·多孔硅的分类 | 第15-17页 |
| ·多孔硅气敏性能的研究现状 | 第17页 |
| ·项目背景 | 第17-19页 |
| 第二章 理论知识 | 第19-34页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第19-21页 |
| ·化学腐蚀法 | 第19-20页 |
| ·双槽电化学腐蚀法 | 第20-21页 |
| ·多孔硅形成机理 | 第21-23页 |
| ·扩散限制（DLA）模型 | 第21页 |
| ·Beale模型 | 第21-22页 |
| ·量子限制模型 | 第22-23页 |
| ·多孔硅气敏传感器工作原理 | 第23-25页 |
| ·介孔硅的气敏特性机理 | 第23-24页 |
| ·大孔硅的气敏特性机理 | 第24-25页 |
| ·WO_3 薄膜的气敏工作机理 | 第25页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第25-28页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第25-27页 |
| ·溅射薄膜的形成过程 | 第27页 |
| ·对向靶磁控溅射镀膜法 | 第27-28页 |
| ·金属与半导体的欧姆接触 | 第28-31页 |
| ·金属与半导体的功函数 | 第28-30页 |
| ·肖特基接触 | 第30页 |
| ·欧姆接触 | 第30-31页 |
| ·薄膜成分、晶体结构和表面形貌的分析 | 第31-34页 |
| ·光电子能谱法（XPS）成分分析 | 第31-32页 |
| ·X射线衍射法（XRD）晶体结构分析 | 第32页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）薄膜表面形貌分析 | 第32页 |
| ·原子力显微镜（AFM）分析 | 第32-34页 |
| 第三章 介孔硅气敏元件的制备，表面形貌，电学性能以及气敏性能分析 | 第34-49页 |
| ·多孔硅敏感层的制备 | 第34-35页 |
| ·硅片的清洗 | 第34页 |
| ·腐蚀多孔硅敏感层 | 第34-35页 |
| ·溅射形成薄膜电极 | 第35-37页 |
| ·气敏传感器所需不同微结构介孔硅材料孔隙率测试及形貌分析 | 第37-39页 |
| ·孔隙率测量实验 | 第37-38页 |
| ·介孔硅表面形貌分析 | 第38-39页 |
| ·介孔硅的I-V特性研究 | 第39-40页 |
| ·介孔硅的气敏特性研究 | 第40-48页 |
| ·气体浓度测量范围选择 | 第40-41页 |
| ·介孔硅的气敏特性测试与结果分析 | 第41-48页 |
| ·小节 | 第48-49页 |
| 第四章 介孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器性能研究 | 第49-73页 |
| ·介孔硅基底WO_3 基薄膜气敏微传感器的制备 | 第49-52页 |
| ·介孔硅基底的制备 | 第49页 |
| ·氧化钨薄膜的淀积 | 第49-51页 |
| ·金属Pt电极的淀积 | 第51页 |
| ·热处理工艺 | 第51-52页 |
| ·介孔硅基底WO_3 薄膜的表面形貌分析 | 第52-54页 |
| ·介孔硅基底氧化钨薄膜的电学特性 | 第54-55页 |
| ·介孔硅基底氧化钨薄膜的气敏特性 | 第55-71页 |
| ·介孔硅基底氧化钨薄膜在低温（室温和500C）下的气敏特性 | 第56-63页 |
| ·介孔硅基底氧化钨薄膜在高温（1000C，1500C和2000C）下的气敏特性 | 第63-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 大孔硅的制备，表面形貌以及气敏特性的初步研究 | 第73-88页 |
| ·大孔硅制备的理论依据 | 第73-74页 |
| ·大孔硅的制备 | 第74-75页 |
| ·硅片的准备 | 第74-75页 |
| ·硅片的清洗 | 第75页 |
| ·制备方法和装置 | 第75页 |
| ·腐蚀大孔硅敏感层 | 第75页 |
| ·大孔硅的孔隙率分析 | 第75-76页 |
| ·大孔硅的表面形貌分析 | 第76-80页 |
| ·大孔硅的腐蚀深度测量 | 第80-81页 |
| ·大孔硅基氧化钨气敏薄膜的气敏特性 | 第81-87页 |
| ·大孔硅基氧化钨气敏薄膜对NH3的气敏特性 | 第81-84页 |
| ·大孔硅基氧化钨气敏薄膜对N02的气敏特性 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 结论与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-95页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
