| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 多铁材料和稀磁半导体(DMS)介绍 | 第11-55页 |
| ·铁磁体(FERROMAGNETS) | 第12-13页 |
| ·铁电体(FERROELECTRIC) | 第13-15页 |
| ·铁电性与铁磁性共存性难题 | 第15页 |
| ·典型的多铁薄膜材料 | 第15-17页 |
| ·YMnO_3 | 第15-16页 |
| ·BiMnO_3薄膜 | 第16页 |
| ·BiFeO_3薄膜 | 第16-17页 |
| ·多铁材料应用 | 第17-20页 |
| ·铁电隧穿结(FTJ,ferroelectric tunneling junction) | 第17页 |
| ·巨电阻效应(Giant Electroresistance,GER) | 第17-19页 |
| ·多铁遂穿结(MFTJ,multiferroic tunneling junction) | 第19-20页 |
| ·铁磁隧道结(ferromagnetism tunneling junction) | 第20页 |
| ·稀磁半导体(DMS,DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR) | 第20-23页 |
| ·稀磁半导体(DMS)的理论模型 | 第23-27页 |
| ·Zener模型 | 第24-25页 |
| ·RKKY模型 | 第25页 |
| ·平均场zener模型 | 第25-26页 |
| ·双交换模型 | 第26-27页 |
| ·束缚磁激子模型(BMP) | 第27页 |
| ·样品的微结构及铁电铁磁性能检测手段 | 第27-47页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第27-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30-33页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第33-35页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第35-36页 |
| ·Raman散射谱 | 第36-38页 |
| ·吸收光谱 | 第38-39页 |
| ·透射电子显微像(transmission electron microscopy,TEM) | 第39-43页 |
| ·光致发光(Photoluminescence,PL) | 第43-44页 |
| ·超导量子干涉仪(superconducting quantum interference device,SQUID) | 第44-46页 |
| ·电场-极化强度测试(Sawyer-Tower 电路) | 第46-47页 |
| ·参考文献 | 第47-55页 |
| 第二章 ZNO基稀磁半导体的制备方法 | 第55-73页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第55-57页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第57-58页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第58-61页 |
| ·磁控溅射 | 第61-63页 |
| ·电化学法(ELECTRO-DEPOSITION) | 第63-65页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第65-66页 |
| ·离子注入(ION IMPLANTATION) | 第66-70页 |
| ·金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA) | 第67-68页 |
| ·离子注入的射程理论 | 第68-69页 |
| ·离子注入的程序模拟(Ion implantation process simulation) | 第69-70页 |
| ·参考文献 | 第70-73页 |
| 第三章 ME和LI共掺杂ZNO薄膜的制备及性能分析 | 第73-106页 |
| ·LI离子注入ZNO的铁电性 | 第73-80页 |
| ·Li离子掺杂ZnO薄膜的实验条件 | 第74页 |
| ·Li离子掺杂ZnO薄膜的实验结果与讨论 | 第74-79页 |
| ·Li离子注入形成ZnO:Li薄膜铁电性结论 | 第79-80页 |
| ·Co离子注入ZNO的铁磁性 | 第80-83页 |
| ·Co离子注入ZnO薄膜的条件 | 第80页 |
| ·Co离子注入ZnO薄膜的实验结果与讨论 | 第80-83页 |
| ·Co离子注入ZnO后形成ZnO:Co薄膜小结 | 第83页 |
| ·LI和Co共注入ZNO薄膜的多铁性 | 第83-88页 |
| ·ZnO:CoLi薄膜的离子注入制备过程 | 第83-84页 |
| ·Li和Co离子共注入ZnO的实验结果与讨论 | 第84-88页 |
| ·(Li,Co)共注入ZnO形成ZnO:(Li,Co)薄膜多铁性结论 | 第88页 |
| ·(Cu,LI)共掺杂ZNO薄膜的磁控溅射制备及多铁性能检测 | 第88-94页 |
| ·(Cu,Li)共掺杂ZnO薄膜的磁控溅射制备条件 | 第88-89页 |
| ·磁控溅射制备的(Cu,Li)共掺杂ZnO薄膜的实验结果与讨论 | 第89-93页 |
| ·磁控溅射制备的(Cu,Li)共掺杂ZnO薄膜的结论 | 第93-94页 |
| ·P型(MN,LI)共掺杂ZNO薄膜的磁控溅射制备及缺陷相关室温铁磁性研究 | 第94-100页 |
| ·P型(Mn,Li)共掺杂ZnO薄膜的磁控溅射制备条件 | 第94-95页 |
| ·P型(Mn,Li)共掺杂ZnO薄膜的磁控溅射制备的实验结果与讨论 | 第95-100页 |
| ·磁控溅射制备p型Zn_(0.95-x)Mn_xLi_(0.05)O薄膜小结 | 第100页 |
| ·参考文献 | 第100-106页 |
| 第四章 离子源辅助中频磁控溅射制备CRN及GAN薄膜 | 第106-120页 |
| ·CRN薄膜的离子源辅助中频磁控溅射制备 | 第106-111页 |
| ·GAN薄膜的离子源辅助中频磁控溅射制备 | 第111-117页 |
| ·GaN薄膜制备的实验条件 | 第112-113页 |
| ·实验结果与讨论 | 第113-117页 |
| ·参考文献 | 第117-120页 |
| 第五章 总结及展望 | 第120-121页 |
| 攻读博士期间论文发表情况 | 第121-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
