| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 引言 | 第13-15页 |
| 第一章 正电子谱学方法 | 第15-34页 |
| ·正电子的发现 | 第15-16页 |
| ·正电子湮没过程 | 第16-21页 |
| ·正电子湮没谱学的几种实验方法 | 第21-29页 |
| ·正电子湮没寿命测量 | 第21-23页 |
| ·多普勒展宽测量 | 第23-25页 |
| ·双探头符合多普勒展宽技术 | 第25-27页 |
| ·慢正电子束技术 | 第27-29页 |
| ·慢正电子束技术的应用及国内外研究现状 | 第29-32页 |
| ·本文研究目的和主要内容 | 第32-34页 |
| 第二章 反物质(正电子)的未来应用展望 | 第34-40页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·反物质的研究发展史 | 第34-35页 |
| ·反物质释放能量的原理 | 第35-36页 |
| ·反物质的应用前景 | 第36-38页 |
| ·航空 | 第36-37页 |
| ·武器 | 第37-38页 |
| ·反物质应用所面临的机遇和挑战 | 第38-39页 |
| ·未来展望 | 第39-40页 |
| 第三章 ZnO薄膜材料的物理性质及其应用 | 第40-52页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第41-43页 |
| ·ZnO薄膜的晶体结构 | 第41-43页 |
| ·ZnO薄膜的光电性质 | 第43页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第43-46页 |
| ·磁控溅射法 | 第43-44页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第44-45页 |
| ·化学气相沉积法 | 第45页 |
| ·分子束外延技术 | 第45-46页 |
| ·氧氩比对ZnO中缺陷的影响 | 第46-47页 |
| ·氢掺杂ZnO及其性能研究 | 第47-52页 |
| 第四章 氧氩比对ZnO薄膜的微结构及光学性能的影响 | 第52-62页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验方法 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-61页 |
| ·微结构分析 | 第54-56页 |
| ·VEPAS测量 | 第56-59页 |
| ·光学性能 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 氢离子注入对ZnO薄膜的微结构及光学性能的影响 | 第62-72页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·实验方法 | 第63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-71页 |
| ·H离子注入的分布 | 第64页 |
| ·微结构和缺陷分析 | 第64-69页 |
| ·光学性能 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 附录 | 第74-80页 |
| 参考文献 | 第80-91页 |
| 作者在攻读博士学位期间发表的论文 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |