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半导体中缺陷对载流子寿命的非绝热分子动力学研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 非绝热分子动力学第12-32页
    1.1 引言第12-14页
    1.2 波恩-奥本海默近似第14-19页
        1.2.1 Hartree-Fock方法第15-16页
        1.2.2 密度泛函理论第16-19页
    1.3 混合量子-经典动力学第19-27页
        1.3.1 Ehrenfest方法第20-22页
        1.3.2 面跳跃(surface Hopping)方法第22-23页
        1.3.3 最小面跳跃方法第23-26页
        1.3.4 量子退相干第26-27页
    1.4 基于含时密度泛函理论的面跳跃方法第27-32页
        1.4.1 单电子轨道近似第29页
        1.4.2 经典路径近似第29-30页
        1.4.3 计算流程第30-32页
第2章 掺杂对TiO_2载流子寿命的影响第32-52页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 计算方法第33-35页
        2.2.1 计算细节第33页
        2.2.2 固定单一声子模式第33-34页
        2.2.3 复合时间第34-35页
    2.3 结果讨论第35-50页
        2.3.1 电子空穴复合动力学第35-37页
        2.3.2 电声耦合分析第37-39页
        2.3.3 杂质声子模式激发动力学第39-43页
        2.3.4 多电子激发动力学第43-44页
        2.3.5 电子空穴复合的决定性因素第44-50页
    2.4 小结第50-52页
第3章 TiO_2中极化子和光生载流子的相干动力学第52-60页
    3.1 引言第52-53页
    3.2 计算方法第53页
    3.3 结果分析第53-59页
        3.3.1 电子结构第53-55页
        3.3.2 极化子的形成及相干动力学第55-58页
        3.3.3 氧空位中极化子的相干动力学第58-59页
    3.4 小结第59-60页
第4章 本征缺陷对黑磷载流子寿命的影响第60-74页
    4.1 引言第60-62页
    4.2 计算方法第62-64页
        4.2.1 计算细节第62页
        4.2.2 基态动力学轨迹第62-63页
        4.2.3 Gamma点合理性第63-64页
    4.3 结果分析第64-72页
        4.3.1 晶格结构第64-65页
        4.3.2 电子结构第65-67页
        4.3.3 电子空穴复合动力学第67-72页
    4.4 小结第72-74页
第5章 氧化及水吸附对黑磷载流子寿命的影响第74-86页
    5.1 引言第74-75页
    5.2 计算方法第75-76页
    5.3 结果分析第76-85页
        5.3.1 电子结构第76-78页
        5.3.2 电子空穴复合动力学第78-85页
    5.4 小结第85-86页
第6章 总结及展望第86-88页
参考文献第88-104页
致谢第104-108页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第108页

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