| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-37页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 二维过渡金属硫属化合物(TMDs)的基本性质 | 第11-15页 |
| 1.2.1 TMDs的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 TMDs的能带结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 TMDs中的多体粒子 | 第13-15页 |
| 1.3 二维过渡金属硫属化合物(TMDs)的制备和表征 | 第15-26页 |
| 1.3.1 TMDs的制备方法 | 第15-20页 |
| 1.3.2 TMDs的形貌表征 | 第20-23页 |
| 1.3.3 TMDs的光学性质表征 | 第23-26页 |
| 1.4 二维过渡金属硫属化合物(TMDs)中的载流子动力学行为 | 第26-32页 |
| 1.4.1 TMDs中载流子动力学的测试方法 | 第27-28页 |
| 1.4.2 TMDs中载流子的超快动力学的研究与进展 | 第28-30页 |
| 1.4.3 TMDs中载流子行为调控的研究与进展 | 第30-32页 |
| 1.5 本论文的选题依据和意义 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-37页 |
| 第二章 TMDs中载流子的超快非辐射复合过程的研究 | 第37-58页 |
| 2.1 研究目的和意义 | 第37-38页 |
| 2.2 单层二硫化钼中C激子弛豫过程的研究 | 第38-46页 |
| 2.2.1 缓慢的C激子弛豫行为 | 第38-41页 |
| 2.2.2 带边激子的泡利阻塞减缓C激子弛豫的验证 | 第41-44页 |
| 2.2.3 能谷间载流子的转移限制C激子快速弛豫 | 第44-46页 |
| 2.3 低温下多层二硒化钨中的超快俄歇复合过程 | 第46-54页 |
| 2.3.1 低温下多层二硒化钨荧光强度衰减 | 第46-50页 |
| 2.3.2 缺陷辅助的超快俄歇复合过程 | 第50-54页 |
| 2.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 单层二硫化钼中载流子浓度调控的研究 | 第58-74页 |
| 3.1 研究目的和意义 | 第58-59页 |
| 3.2 热驱动带电激子(Trion)离化实现二硫化钼荧光增强 | 第59-64页 |
| 3.2.1 高温下单层MoS2 氧化诱导的掺杂效应 | 第59-63页 |
| 3.2.2 热驱动单层MoS2 中带电激子(Trion)离化 | 第63-64页 |
| 3.3 控制气体分子的掺杂效应实现载流子浓度调控 | 第64-71页 |
| 3.3.1 气体分子对单层MoS2 掺杂效应的有效调控 | 第65-68页 |
| 3.3.2 基于质量作用模型(Mass Action Model)的载流子浓度计算 | 第68-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第四章 多层二硫化钼中热驱动的能谷间载流子转移 | 第74-92页 |
| 4.1 研究目的和意义 | 第74-75页 |
| 4.2 多层MoS2 高温下反常的直接跃迁峰荧光增强 | 第75-80页 |
| 4.2.1 多层MoS2 高温下的荧光增强 | 第75-77页 |
| 4.2.2 多层MoS2 高温测试前后的性质对比 | 第77-80页 |
| 4.3 热驱动的层间去耦合和能谷间载流子转移 | 第80-88页 |
| 4.3.1 热驱动层间去耦合模型的理论验证 | 第80-82页 |
| 4.3.2 热驱动层间去耦合模型的实验验证 | 第82-83页 |
| 4.3.3 能谷间载流子转移的理论依据 | 第83-86页 |
| 4.3.4 能谷间载流子转移的实验依据 | 第86-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第五章 总结和展望 | 第92-94页 |
| 5.1 文章总结 | 第92-93页 |
| 5.2 工作展望 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 在学期间公开发表论文和参加学术会议情况 | 第95-96页 |
