| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 热电效应理论 | 第11-14页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第12-13页 |
| 1.2.2 珀尔帖效应 | 第13页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第13-14页 |
| 1.3 热电性质 | 第14-15页 |
| 1.3.1 塞贝克系数 | 第14页 |
| 1.3.2 电导率 | 第14-15页 |
| 1.3.3 热导率 | 第15页 |
| 1.4 二维热电材料简单介绍 | 第15-16页 |
| 1.5 提高二维材料热电性质的方法 | 第16-18页 |
| 1.5.1 提高电输运性能 | 第17-18页 |
| 1.5.2 降低材料的热导率 | 第18页 |
| 1.6 本论文的研究目的及意义 | 第18-19页 |
| 第2章 计算软件和理论基础 | 第19-28页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 电子结构计算的理论基础 | 第19-25页 |
| 2.2.1 多粒子体系量子力学处理方法 | 第19-21页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.2.3 赝势法 | 第23-25页 |
| 2.3 计算程序简介 | 第25-27页 |
| 2.3.1 VASP | 第25页 |
| 2.3.2 BoltzTraP | 第25-27页 |
| 2.4 计算参数 | 第27-28页 |
| 第3章 具有超高功率因子的p型单层1T-ZrX_2(X= S,Se) | 第28-40页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 电子结构分析 | 第28-33页 |
| 3.2.1 结构分析 | 第28-30页 |
| 3.2.2 ZrX_2 的能带结构 | 第30页 |
| 3.2.3 载流子和迁移率 | 第30-33页 |
| 3.3 热电性质分析 | 第33-39页 |
| 3.3.1 塞贝克系数与电导率 | 第33-35页 |
| 3.3.2 功率因子 | 第35-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 应力对单层ZrX_2(X= S,Se)热电性质的影响 | 第40-51页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 1T/2H Zr(S,Se)_2 的能带特征 | 第40-42页 |
| 4.3 双轴应力对能带的影响 | 第42-46页 |
| 4.4 功率因子的变化 | 第46-48页 |
| 4.5 PBE 和 SCAN 计算结果对比 | 第48-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 (Ti,Zr,Hf)S_2热电性质的研究 | 第51-59页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 1T-MS_2(M= Ti,Zr,Hf)的能带结构和热电性质 | 第51-55页 |
| 5.2.1 能带结构 | 第51-54页 |
| 5.2.2 热电性质 | 第54-55页 |
| 5.3 (Ti,Zr,Hf)S_2 合金的电子结构 | 第55-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 结束语 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文和专利 | 第67页 |
