| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-42页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第20-23页 |
| 1.2 三维集成电路 | 第23-28页 |
| 1.2.1 三维集成电路的概念 | 第23-24页 |
| 1.2.2 三维集成电路的发展现状 | 第24-26页 |
| 1.2.3 三维集成电路面临的挑战 | 第26-28页 |
| 1.3 TSV技术 | 第28-39页 |
| 1.3.1 TSV的基本概念 | 第28-30页 |
| 1.3.2 基于TSV的三维集成电路的分类 | 第30-33页 |
| 1.3.3 TSV的研究进展 | 第33-38页 |
| 1.3.4 TSV面临的挑战 | 第38-39页 |
| 1.4 论文的研究内容和基本框架 | 第39-42页 |
| 第二章 同轴环形TSV的电学特性研究 | 第42-64页 |
| 2.1 同轴环形TSV等效模型及分析 | 第42-58页 |
| 2.1.1 同轴环形TSV等效模型及寄生参数提取 | 第42-52页 |
| 2.1.2 同轴环形TSV模型验证 | 第52-54页 |
| 2.1.3 同轴环形TSV扩展性分析 | 第54-58页 |
| 2.2 同轴环形TSV的电学特性研究 | 第58-63页 |
| 2.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第三章 锥形TSV感性耦合分析 | 第64-92页 |
| 3.1 锥形TSV的等效模型 | 第64-69页 |
| 3.2 相邻层衬底内锥形TSV间互感等效电路模型及计算公式 | 第69-91页 |
| 3.2.1 基于磁通量方法计算锥形TSV之间的互感 | 第70-85页 |
| 3.2.2 基于磁矢位方法计算锥形TSV之间的互感 | 第85-91页 |
| 3.3 本章小结 | 第91-92页 |
| 第四章 TSV与RDL的串扰分析 | 第92-112页 |
| 4.1 基于TSV的三维集成电路耦合路径研究 | 第92-94页 |
| 4.2 TSV与RDL的串扰模型及分析方法 | 第94-100页 |
| 4.3 模型验证 | 第100-105页 |
| 4.3.1 TSV与RDL不同位置的耦合电容 | 第100-101页 |
| 4.3.2 TSV参数变化对耦合电容的影响 | 第101页 |
| 4.3.3 RDL长度对耦合电容的影响 | 第101-102页 |
| 4.3.4 RDL与TSV距离对耦合电容的影响 | 第102-103页 |
| 4.3.5 RDL与TSV的角度对耦合电容的影响 | 第103-104页 |
| 4.3.6 RDL高度对耦合电容的影响 | 第104-105页 |
| 4.4 计算效率比较 | 第105页 |
| 4.5 TSV和RDL之间串扰噪声分析 | 第105-111页 |
| 4.5.1 GSSG形式的TSV与RDL | 第105-107页 |
| 4.5.2 几种不同结构的TSV与RDL之间的耦合电容分析 | 第107-109页 |
| 4.5.3 几种不同结构的TSV与RDL之间的串扰噪声分析 | 第109-110页 |
| 4.5.4 衬底电导率对TSV与RDL之间耦合电容的影响 | 第110-111页 |
| 4.6 本章小结 | 第111-112页 |
| 第五章 TSV阵列的电磁串扰研究 | 第112-134页 |
| 5.1 基于TSV阵列的研究方法 | 第112-113页 |
| 5.2 TSV阵列的等效模型 | 第113-116页 |
| 5.3 抑制TSV信号间串扰的措施 | 第116-117页 |
| 5.4 TSV阵列布局 | 第117-118页 |
| 5.5 一种有效减小阵列TSV间串扰噪声的布局结构 | 第118-127页 |
| 5.5.1 单层衬底2个信号的串扰研究 | 第118-120页 |
| 5.5.2 单层衬底4个信号的串扰研究 | 第120-122页 |
| 5.5.3 单层衬底9个信号的串扰研究 | 第122-124页 |
| 5.5.4 单层衬底16个信号的串扰研究 | 第124-127页 |
| 5.6 一种应用于多层衬底下的有效减小TSV间串扰噪声的结构 | 第127-133页 |
| 5.6.1 多层衬底9个信号的串扰研究 | 第128-131页 |
| 5.6.2 阵列扩展 | 第131-133页 |
| 5.7 本章小结 | 第133-134页 |
| 第六章 总结与展望 | 第134-138页 |
| 6.1 全文总结 | 第134-135页 |
| 6.2 工作展望 | 第135-138页 |
| 参考文献 | 第138-150页 |
| 致谢 | 第150-152页 |
| 作者简介 | 第152-154页 |
