| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.1 半导体光催化技术 | 第11页 |
| 1.2 半导体光催化剂的研究进展 | 第11-13页 |
| 2 g-C_3N_4的介绍及应用 | 第13-14页 |
| 3 Cu_3B_2O_6的介绍及应用 | 第14-15页 |
| 4 CuS的介绍及应用 | 第15-16页 |
| 5 本文选题意义及研究内容 | 第16-18页 |
| 5.1 选题意义 | 第16页 |
| 5.2 研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 g-C_3N_4/Cu_3B_2O_6异质结光催化剂的制备及光催化应用 | 第18-39页 |
| 1 材料和方法 | 第18-22页 |
| 1.1 化学试剂 | 第18页 |
| 1.2 实验仪器 | 第18-19页 |
| 1.3 光催化材料的合成 | 第19页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4的合成 | 第19页 |
| 1.3.2 Cu_3O_2B_6的合成 | 第19页 |
| 1.3.3 g-C_3N_4/Cu_3O_2B_6异质结光催化剂的合成 | 第19页 |
| 1.4 光催化材料的表征 | 第19-20页 |
| 1.5 光催化材料性能测定 | 第20-22页 |
| 1.5.1 不同g-C_3N_4比例异质结对光催化降解亚甲基蓝的影响 | 第20页 |
| 1.5.2 添加量对光催化剂降解亚甲基蓝的影响 | 第20页 |
| 1.5.3 pH值对光催化剂降解亚甲基蓝的影响 | 第20-21页 |
| 1.5.4 异质结光催化剂稳定性的测定 | 第21页 |
| 1.5.5 光反应过程中活性物种的测定 | 第21-22页 |
| 2 实验结果与讨论 | 第22-36页 |
| 2.1 材料及其表征 | 第22-31页 |
| 2.1.1 XRD分析 | 第22页 |
| 2.1.2 红外光谱分析(FT-IR) | 第22-23页 |
| 2.1.3 扫描电镜(SEM)与透射电镜(TEM) | 第23-25页 |
| 2.1.4 比表积分析(BET) | 第25页 |
| 2.1.5 热重分析(TGA) | 第25-26页 |
| 2.1.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第26-28页 |
| 2.1.7 紫外可见吸收光谱(UV-vis) | 第28-29页 |
| 2.1.8 荧光光谱(PL) | 第29-30页 |
| 2.1.9 瞬态光电流 | 第30-31页 |
| 2.2 光催化性能测试 | 第31-34页 |
| 2.2.1 不同比例Cu_3O_2B_6/g-C_3N_4异质结对光催化降解亚甲基蓝的影响 | 第31-32页 |
| 2.2.2 不同添加量对光催化降解亚甲基蓝的影响 | 第32-33页 |
| 2.2.3 不同pH值条件下材料对光催化降解亚甲基蓝的影响 | 第33-34页 |
| 2.3 光催化稳定性 | 第34-36页 |
| 3 光催化机理研究 | 第36-38页 |
| 4.本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 g-C_3N_4/CuS异质结光催化剂的制备及其光催化应用 | 第39-55页 |
| 1 材料和方法 | 第39-42页 |
| 1.1 化学试剂 | 第39页 |
| 1.2 实验仪器 | 第39页 |
| 1.3 光催化材料的合成 | 第39-40页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4的合成 | 第40页 |
| 1.3.2 CuS的合成 | 第40页 |
| 1.3.3 g-C_3N_4/CuS异质结光催化剂的合成 | 第40页 |
| 1.4 光催化材料的表征 | 第40页 |
| 1.5 光催化材料性能测试 | 第40-42页 |
| 1.5.1 不同g-C_3N_4含量的g-C_3N_4/CuS异质结对光催化降解甲基橙的影响 | 第40-41页 |
| 1.5.2 60 %g-C_3N_4/CuS异质结添加量对光催化降解甲基橙的影响 | 第41页 |
| 1.5.3 甲基橙初始浓度对60%g-C_3N_4/CuS异质结降解甲基橙的影响 | 第41页 |
| 1.5.4 g-C_3N_4/CuS异质结稳定性的测定 | 第41页 |
| 1.5.5 g-C_3N_4/CuS异质结光催化降解甲基橙的活性物种测定 | 第41-42页 |
| 2 实验结果与讨论 | 第42-52页 |
| 2.1 材料及其表征 | 第42-49页 |
| 2.1.1 XRD分析 | 第42-44页 |
| 2.1.3 扫描电镜(SEM)与透射电镜(TEM) | 第44-45页 |
| 2.1.4 比表面积(N2吸附) | 第45页 |
| 2.1.5 X射线光电子能谱(XPS) | 第45-47页 |
| 2.1.7 紫外可见吸收光谱(UV-vis) | 第47-48页 |
| 2.1.8 荧光光谱(PL) | 第48-49页 |
| 2.2 光催化性能测试 | 第49-51页 |
| 2.2.1 不同比例g-C_3N_4/CuS异质结对光催化降解甲基橙的影响 | 第49-50页 |
| 2.2.2 材料不同添加量对光催化降解甲基橙的影响 | 第50-51页 |
| 2.3 污染物初始浓度对光催化降解甲基橙的影响 | 第51页 |
| 2.4 光催化稳定性 | 第51-52页 |
| 3 光催化机理研究 | 第52-54页 |
| 4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 结论与展望 | 第55-58页 |
| 1 结论 | 第55-56页 |
| 2 创新点 | 第56页 |
| 3 展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |
