| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 石墨烯的性质及面临的挑战 | 第11-13页 |
| 1.2 单一金属催化剂表面石墨烯CVD生长机制的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 合金催化剂合成大面积石墨烯的优势及潜力 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的研究内容及设想 | 第16-19页 |
| 第二章 理论方法与模型 | 第19-29页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第19-22页 |
| 2.1.1 Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| 2.1.2 LDA和GGA | 第21-22页 |
| 2.2 VASP计算的赝势方法 | 第22-25页 |
| 2.3 范德瓦尔斯(vdw)修正 | 第25-26页 |
| 2.4 周期性平板模型 | 第26-29页 |
| 第三章 模型结构及计算方法 | 第29-35页 |
| 3.1 模型结构 | 第29-33页 |
| 3.1.1 C团簇在Cu/Ni衬底上的模型结构 | 第29-31页 |
| 3.1.2 石墨烯薄膜在Cu/Ni衬底上的模型结构 | 第31-33页 |
| 3.2 计算方法 | 第33-35页 |
| 第四章 石墨烯在Cu/Ni(100)衬底上的成核研究 | 第35-45页 |
| 4.1 C_(24)在不同比例Cu/Ni合金衬底上的形成能 | 第35-37页 |
| 4.2 合金内部溶入的C原子对C24形成能的影响 | 第37-39页 |
| 4.2.1 形成能变化趋势分析 | 第37-38页 |
| 4.2.2 差分电荷分析 | 第38-39页 |
| 4.3 合金催化剂表面石墨烯成核密度降低的本质原因 | 第39-40页 |
| 4.4 石墨烯在Cu/Ni衬底上的成核能研究 | 第40-42页 |
| 4.5 小结 | 第42-45页 |
| 第五章 石墨烯与衬底之间vdw相互作用的研究 | 第45-55页 |
| 5.1 石墨烯层数对石墨烯与衬底间vdw相互作用的影响 | 第45-48页 |
| 5.1.1 1 -10层石墨烯在Cu(111)上的结合能变化 | 第45-46页 |
| 5.1.2 1-10层石墨烯在Cu/Ni(111)上的结合能变化 | 第46-48页 |
| 5.2 不同晶面衬底对相互作用的影响 | 第48-50页 |
| 5.3 C原子溶解对石墨烯与不同比例Cu/Ni衬底间vdw相互作用的影响.. | 第50-53页 |
| 5.4 分析与讨论 | 第53-55页 |
| 第六章 总结及展望 | 第55-57页 |
| 6.1 工作总结 | 第55-56页 |
| 6.2 工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
