| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题来源 | 第10页 |
| 1.2 课题的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.3 国内外研究现状综述 | 第11-17页 |
| 1.3.1 光学元件研抛加工去除机理和表面/亚表面损伤机理的研究 | 第11-14页 |
| 1.3.2 加工过程仿真技术的研究 | 第14-15页 |
| 1.3.3 面向智能仿生算法的工艺参数优化研究 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 研抛过程表面和亚表面损伤深度理论建模 | 第19-28页 |
| 2.1 表面/亚表面损伤深度模型 | 第19-25页 |
| 2.1.1 基于压痕断裂力学损伤模型建立 | 第19-20页 |
| 2.1.2 单磨粒切入深度模型 | 第20-23页 |
| 2.1.3 动态参数解析 | 第23-25页 |
| 2.2 表面和亚表面损伤深度模型分析 | 第25-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 研抛过程的有限元仿真 | 第28-44页 |
| 3.1 碳化硅材料本构模型 | 第28-29页 |
| 3.2 有限元仿真模型的建立 | 第29-31页 |
| 3.2.1 几何模型 | 第29-30页 |
| 3.2.2 有限元仿真模型 | 第30页 |
| 3.2.3 约束与加载 | 第30-31页 |
| 3.3 仿真方案及流程 | 第31-32页 |
| 3.4 研抛过程的有限元仿真结果与分析 | 第32-42页 |
| 3.4.1 碳化硅研抛过程表面损伤影响规律 | 第32-39页 |
| 3.4.2 碳化硅陶瓷研抛过程亚表面损伤影响规律 | 第39-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 碳化硅研抛表面/亚表面损伤实验研究 | 第44-59页 |
| 4.1 碳化硅研抛实验设计 | 第44-49页 |
| 4.1.1 实验设备和材料 | 第44-45页 |
| 4.1.2 检测方案 | 第45-47页 |
| 4.1.3 实验方案 | 第47-49页 |
| 4.2 碳化硅研抛实验结果分析 | 第49-58页 |
| 4.2.1 反应烧结碳化硅研抛表面形貌特征及表面粗糙度 | 第49-54页 |
| 4.2.2 无压烧结碳化硅研抛亚表面微裂纹损伤 | 第54-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 碳化硅研抛亚表面损伤预测与抑制建模 | 第59-73页 |
| 5.1 正交实验方案设计 | 第59-60页 |
| 5.2 基于BP神经网络的亚表面预测模型建立 | 第60-63页 |
| 5.3 基于改进细菌觅食算法的亚表面损伤抑制模型建立 | 第63-72页 |
| 5.3.1 自适应步长的细菌觅食算法的基本原理 | 第63-66页 |
| 5.3.2 自适应步长的BFO算法测试 | 第66-70页 |
| 5.3.3 研抛工艺参数优选模型 | 第70-71页 |
| 5.3.4 基于改进细菌觅食算法亚表面损伤抑制结果分析 | 第71-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 结论 | 第73-75页 |
| 6.1 总结 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第85页 |
