高重频双极性脉冲功率系统关键技术研究
摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5页 |
1 引言 | 第8-18页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第8页 |
1.2 高重复频率脉冲功率技术特点 | 第8-14页 |
1.2.1 高重复频率脉冲发生器典型电路 | 第9-12页 |
1.2.2 高重复频率脉冲功率技术典型应用 | 第12-14页 |
1.3 高重复频率脉冲功率技术国内外研究现状 | 第14-15页 |
1.4 课题主要研究内容 | 第15-16页 |
1.5 本文组织结构 | 第16-17页 |
1.6 本章小结 | 第17-18页 |
2 系统工作原理分析 | 第18-29页 |
2.1 高重复频率脉冲功率系统基本组成 | 第18-19页 |
2.2 电容储能原理 | 第19-22页 |
2.2.1 电容储能密度 | 第19-20页 |
2.2.2 电容绝缘电阻对系统的影响 | 第20-22页 |
2.3 半导体开关 | 第22-25页 |
2.3.1 半导体开关工作特点 | 第23页 |
2.3.2 功率MOSFET选型及使用要点 | 第23-24页 |
2.3.3 MOSFET集成驱动选型 | 第24-25页 |
2.4 触发装置 | 第25-28页 |
2.4.1 数字控制器选型 | 第25-27页 |
2.4.2 隔离方式选取 | 第27-28页 |
2.5 本章小结 | 第28-29页 |
3 基于MicroBlaze的脉冲信号源系统构建 | 第29-37页 |
3.1 SOPC技术在本系统中的应用 | 第29-31页 |
3.2 基于MicroBlaze的嵌入式系统构建 | 第31-33页 |
3.3 显示控制器 | 第33-35页 |
3.4 脉冲输出单元 | 第35-36页 |
3.5 本章小结 | 第36-37页 |
4 基于NiosII的脉冲信号源系统构建 | 第37-54页 |
4.1 基于NiosII的嵌入式系统构建 | 第37-39页 |
4.2 片内总线设计 | 第39-48页 |
4.2.1 总线互联结构选择 | 第39-40页 |
4.2.2 总线接口信号定义 | 第40-43页 |
4.2.3 仲裁器设计 | 第43-46页 |
4.2.4 数据路由结构设计 | 第46-48页 |
4.3 NiosII连接方式 | 第48-50页 |
4.4 从设备连接方式 | 第50-51页 |
4.5 系统启动时的检测流程 | 第51-52页 |
4.6 本章小结 | 第52-54页 |
5 高重频脉冲产生机构 | 第54-69页 |
5.1 光纤隔离电路 | 第54-57页 |
5.1.1 传输延迟的补偿方式 | 第54-55页 |
5.1.2 发送端电路 | 第55页 |
5.1.3 接收端电路 | 第55-57页 |
5.2 高重频脉冲产生机构设计要点 | 第57-65页 |
5.2.1 高重频脉冲产生机构建模与仿真 | 第57-58页 |
5.2.2 SPICE模型的选取与建立 | 第58-60页 |
5.2.3 高重频脉冲产生机构仿真电路搭建 | 第60-63页 |
5.2.4 驱动电路设计要点 | 第63-65页 |
5.3 高重频脉冲产生机构测试 | 第65-67页 |
5.3.1 驱动信号测试 | 第65页 |
5.3.2 高重频脉冲输出测试 | 第65-67页 |
5.4 本章小结 | 第67-69页 |
结论 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第74页 |