| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第11-12页 |
| 1.2 自旋霍尔效应 | 第12-13页 |
| 1.3 量子自旋霍尔效应 | 第13-15页 |
| 1.4 量子反常霍尔效应 | 第15-16页 |
| 1.5 拓扑绝缘体 | 第16-21页 |
| 1.5.1 拓扑绝缘体简介 | 第16-17页 |
| 1.5.2 三维拓扑绝缘体 | 第17-20页 |
| 1.5.3 拓扑绝缘体的发展与展望 | 第20-21页 |
| 1.6 研究方法和研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 理论基础及计算方法简介 | 第23-30页 |
| 2.1 绝热近似 | 第23-24页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn 定理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham 方程 | 第25-26页 |
| 2.2.3 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第26-27页 |
| 2.3 布洛赫定理和平面波基矢 | 第27页 |
| 2.3.1 布洛赫定理 | 第27页 |
| 2.3.2 平面波基矢 | 第27页 |
| 2.4 缀加平面波函数(PAW) | 第27-28页 |
| 2.5 VASP 程序包 | 第28-30页 |
| 第三章 硫原子覆盖对 Sb_2Te_3薄膜拓扑表面态的钝化作用 | 第30-43页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 Sb_2Te_3块材的拓扑相变 | 第30-33页 |
| 3.3 S 原子吸附对 Sb_2Te_3薄膜拓扑表面态的钝化作用 | 第33-37页 |
| 3.4 S 原子替代对 Sb_2Te_3薄膜拓扑表面态的保护作用 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-43页 |
| 第四章 磁性杂质 Cr 和 Mn 对 Bi_2Se_3薄膜电子结构的调制和诱导磁性的研究 | 第43-61页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 拓扑绝缘体 Bi_2Se_3表面吸附及掺杂的研究进展 | 第44-45页 |
| 4.3 Cr 原子吸附对 Bi_2Se_3薄膜电子结构和磁性的影响 | 第45-50页 |
| 4.4 Mn 原子吸附和替代对 Bi_2Se_3薄膜电子结构和磁性的影响 | 第50-58页 |
| 4.4.1 Mn 原子吸附对 Bi_2Se_3薄膜电子结构和磁性的影响 | 第50-56页 |
| 4.4.2 Mn 原子替代对 Bi_2Se_3薄膜电子结构和磁性的影响 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 Tl 原子对拓扑绝缘体 Bi_2Se_3薄膜电子结构的调制作用 | 第61-69页 |
| 5.1 引言 | 第61页 |
| 5.2 Tl 原子吸附对 Bi_2Se_3薄膜的电子结构的调制作用 | 第61-64页 |
| 5.3 Tl 原子替位掺杂对 Bi_2Se_3薄膜的电子结构的调制作用 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读博士学位期间的主要工作 | 第81-83页 |
| 参加的学术会议及学术交流 | 第83-84页 |
