| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-14页 |
| 1.1.1 GaN HEMTs自热效应概述 | 第10-12页 |
| 1.1.2 有限元仿真软件-Multiphysics COMSOL | 第12-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 研究目的及其意义 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的主要结构及纲要 | 第16-18页 |
| 第二章 GaN HEMT器件自热效应理论基础 | 第18-38页 |
| 2.1 GaN HEMTs的结构和工作原理 | 第18-23页 |
| 2.1.1 GaN HEMTs的基本结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 COMSOL中半导体模型 | 第19-23页 |
| 2.2 热传导方程基本概念 | 第23-25页 |
| 2.2.1 COMSOL中固体传热模型 | 第23-24页 |
| 2.2.2 热传导方程的线性化处理方法 | 第24-25页 |
| 2.3 热阻以及热抗 | 第25-37页 |
| 2.3.1 热阻、热抗以及边界热阻的概念 | 第26-30页 |
| 2.3.2 热等效电路及其计算 | 第30-33页 |
| 2.3.3 形状因子法计算热传导问题 | 第33-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 GaN HEMT器件的有限元建模 | 第38-59页 |
| 3.1 GaN HEMT器件有限元建模 | 第38-42页 |
| 3.1.1 GaN HEMT器件建模步骤 | 第38-39页 |
| 3.1.2 多物理场耦合 | 第39-41页 |
| 3.1.3 建模所需的材料参数 | 第41-42页 |
| 3.2 自热效应对GaN HEMT器件的直流特性的影响 | 第42-43页 |
| 3.3 GaN HEMT器件三维热模型建模 | 第43-54页 |
| 3.3.1 GaN HEMT器件三维模型概述以及建模 | 第43-45页 |
| 3.3.2 GaN HEMT器件瞬态特性仿真分析 | 第45-46页 |
| 3.3.3 GaN HEMT器件稳态特性仿真与计算 | 第46-54页 |
| 3.4 影响HEMT器件沟道温度的关键因素分析 | 第54-58页 |
| 3.4.1 栅长对器件结温的影响 | 第54-55页 |
| 3.4.2 GaN层厚度对器件结温的影响 | 第55-56页 |
| 3.4.3 衬底材料选择及其厚度对器件结温的影响 | 第56-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 GaN HEMT器件优化分析与设计 | 第59-74页 |
| 4.1 多栅指GaN HEMT器件热模型 | 第59-63页 |
| 4.1.1 多栅指HEMT器件建模 | 第59-61页 |
| 4.1.2 使用阵列式结构降低多栅指HEMT热分布 | 第61-63页 |
| 4.2 散热法设计优化GaN HEMT器件热分布 | 第63-73页 |
| 4.2.1 热优化分析 | 第63-65页 |
| 4.2.2 使用集成散热片法优化HEMT热分布 | 第65-73页 |
| 4.3 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-76页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第74-75页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 硕士期间取得的研究成果 | 第81-82页 |
