| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 电磁吸收与屏蔽材料设计原则 | 第13-19页 |
| 1.2.1 电磁吸收材料设计 | 第13-16页 |
| 1.2.2 电磁屏蔽材料设计 | 第16-18页 |
| 1.2.3 电磁吸收/屏蔽材料微结构 | 第18-19页 |
| 1.3 Si_3N_4-基材料的吸波/屏蔽性能 | 第19-24页 |
| 1.3.1 A/B型结构 | 第20-21页 |
| 1.3.2 GradientA/B型结构 | 第21-22页 |
| 1.3.3 Sandwich结构 | 第22-23页 |
| 1.3.4 A/B/C型结构 | 第23-24页 |
| 1.4 碳纳米线的研究现状 | 第24-26页 |
| 1.5 本课题选题依据和研究内容 | 第26-29页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第26页 |
| 1.5.2 研究目标 | 第26-27页 |
| 1.5.3 研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验方法与设备 | 第29-35页 |
| 2.1 实验原料 | 第29-30页 |
| 2.1.1 多孔Si_3N_4用原料 | 第29页 |
| 2.1.2 碳纳米材料用原料 | 第29-30页 |
| 2.2 CVD工艺参数 | 第30-31页 |
| 2.2.1 气体流量 | 第30页 |
| 2.2.2 沉积时间 | 第30页 |
| 2.2.3 沉积温度 | 第30-31页 |
| 2.2.4 催化剂浓度 | 第31页 |
| 2.3 实验设备及表征方法 | 第31-35页 |
| 2.3.1 CVD沉积炉 | 第31-32页 |
| 2.3.2 微结构分析与测试 | 第32-33页 |
| 2.3.3 物理性能测试 | 第33-35页 |
| 第3章 多晶碳纳米线的合成、微结构与性能 | 第35-55页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 CNWs/Si_3N_4复合材料的制备 | 第35-37页 |
| 3.2.1 多孔Si_3N_4陶瓷基片的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 硝酸镍的分解过程 | 第36-37页 |
| 3.2.3 多晶CNWs的原位合成 | 第37页 |
| 3.3 CNWs/Si_3N_4的表面形貌与微观结构 | 第37-43页 |
| 3.3.1 CNWs/Si_3N_4的相组成与形貌 | 第37-40页 |
| 3.3.2 CNWs/Si_3N_4的孔径分布 | 第40页 |
| 3.3.3 CNWs的石墨化程度 | 第40-42页 |
| 3.3.4 CNWs的多晶结构 | 第42-43页 |
| 3.4 CNWs/Si_3N_4的电导率与电磁性能 | 第43-53页 |
| 3.4.1 CNWs/Si_3N_4的电导率 | 第43-45页 |
| 3.4.2 CNWs/Si_3N_4的介电性能 | 第45-46页 |
| 3.4.3 CNWs/Si_3N_4微波吸收性能 | 第46-50页 |
| 3.4.4 CNWs/Si_3N_4的屏蔽性能 | 第50-51页 |
| 3.4.5 CNWs/Si_3N_4的吸波机理 | 第51-53页 |
| 3.5 小结 | 第53-55页 |
| 第4章 CVD温度对CNWs微结构与性能的影响 | 第55-75页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 温度对碳含量及CNWs形貌的影响 | 第55-58页 |
| 4.2.1 复相陶瓷碳含量 | 第55-56页 |
| 4.2.2 CNWs的表面形貌 | 第56-58页 |
| 4.3 温度对CNWs微结构的影响 | 第58-62页 |
| 4.3.1 CNWs的石墨化程度 | 第58-60页 |
| 4.3.2 CNWs的微结构 | 第60-62页 |
| 4.4 温度对CNWs和CNTs生长的影响 | 第62-68页 |
| 4.4.1 CNWs-to-CNTs转变机理 | 第62-64页 |
| 4.4.2 CNWs和CNTs生长机理 | 第64-65页 |
| 4.4.3 CNWs和CNTs结构模型 | 第65-68页 |
| 4.5 温度对C/Si_3N_4电导率与电磁性能的影响 | 第68-73页 |
| 4.5.1 C/Si_3N_4电导率的变化 | 第68页 |
| 4.5.2 C/Si_3N_4介电性能的变化 | 第68-70页 |
| 4.5.3 C/Si_3N_4吸波性能的变化 | 第70-71页 |
| 4.5.4 C/Si_3N_4屏蔽性能的变化 | 第71-73页 |
| 4.6 小结 | 第73-75页 |
| 第5章 催化剂浓度对CNWs-CNTs微结构与性能的影响 | 第75-85页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 催化剂浓度对CNWs-CNTs含量及形貌的影响 | 第75-78页 |
| 5.2.1 CNWs-CNTs的含量变化 | 第75-76页 |
| 5.2.2 CNWs-CNTs的表面形貌 | 第76-78页 |
| 5.3 催化剂浓度对CNWs微结构的影响 | 第78-80页 |
| 5.3.1 CNWs-CNTs的石墨化程度 | 第78-79页 |
| 5.3.2 CNWs-CNTs的微观结构 | 第79-80页 |
| 5.4 催化剂浓度对CNWs-CNTs/Si_3N_4性能的影响 | 第80-82页 |
| 5.4.1 CNWs-CNTs/Si_3N_4电导率的变化 | 第80页 |
| 5.4.2 CNWs-CNTs/Si_3N_4介电性能的变化 | 第80-81页 |
| 5.4.3 CNWs-CNTs/Si_3N_4屏蔽性能的变化 | 第81-82页 |
| 5.5 小结 | 第82-85页 |
| 结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-99页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
