| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 聚芴及其衍生物 | 第10-16页 |
| 1.2.1 聚芴及其衍生物材料简述 | 第11-12页 |
| 1.2.2 聚芴及其衍生物类材料的聚合方法 | 第12-14页 |
| 1.2.3 聚芴及其衍生物类材料的应用 | 第14-16页 |
| 1.3 有机电存储器件 | 第16-25页 |
| 1.3.1 有机存储器件的基本概念和原理 | 第17-18页 |
| 1.3.2 存储器的分类 | 第18-20页 |
| 1.3.3 有机电存储器的作用机制 | 第20-22页 |
| 1.3.4 有机存储材料的研究进展及方向 | 第22-25页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 实验部分 | 第26-34页 |
| 2.1 实验试剂及耗材 | 第26-27页 |
| 2.2 实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.3 共聚物的合成 | 第28-29页 |
| 2.4 电存储器件的制备 | 第29-33页 |
| 2.4.1 ITO/PF-TPA/Al电存储器件的制备 | 第29-30页 |
| 2.4.2 ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al电存储器件的制备 | 第30-31页 |
| 2.4.3 ITO/PF-TPA:TiO_2/Al电存储器件的制备 | 第31-33页 |
| 2.5 表征方法 | 第33-34页 |
| 第3章 三苯胺-芴共聚物的合成及电存储性能研究 | 第34-47页 |
| 3.1 前言 | 第34-35页 |
| 3.2 三苯胺-芴共聚物PF-TPA的表征 | 第35-39页 |
| 3.2.1 红外光谱分析 | 第35页 |
| 3.2.2 核磁共振波谱分析 | 第35-37页 |
| 3.2.3 共聚合物PF-TPA的GPC分析 | 第37页 |
| 3.2.4 共聚合物PF-TPA的TGA分析 | 第37-38页 |
| 3.2.5 紫外吸收光谱和荧光光谱分析 | 第38-39页 |
| 3.3 ITO/PF-TPA/Al存储器件的横截面表征 | 第39页 |
| 3.4 ITO/PF-TPA/Al器件的存储性能分析 | 第39-42页 |
| 3.4.1 电流-电压(I-V)特性 | 第39-40页 |
| 3.4.2 开/关电流比-电压特征曲线 | 第40-41页 |
| 3.4.3 保留性和耐久性 | 第41-42页 |
| 3.5 PF-TPA的分子轨道模拟和电子跃迁机理 | 第42-45页 |
| 3.5.1 量子化学计算 | 第42-43页 |
| 3.5.2 ITO/PF-TPA/Al存储器的机理 | 第43-44页 |
| 3.5.3 ITO/PF-TPA/Al存储器的存储过程 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 基于PF-TPA:MWCNTs复合材料的电存储器的制备与研究 | 第47-60页 |
| 4.1 前言 | 第47-48页 |
| 4.2 多璧碳纳米管的结构表征 | 第48页 |
| 4.3 ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al存储器件的横截面表征 | 第48-49页 |
| 4.4 ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al器件的存储性能分析 | 第49-56页 |
| 4.4.1 基于样品B器件的电存储性能 | 第49-50页 |
| 4.4.2 基于样品C器件的电存储性能 | 第50-52页 |
| 4.4.3 基于样品D器件的电存储性能 | 第52-53页 |
| 4.4.4 基于样品E器件的电存储性能 | 第53-54页 |
| 4.4.5 MWCNTs对ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al器件的存储性能影响 | 第54-56页 |
| 4.5 PF-TPA:MWCNTs的电子跃迁机理 | 第56-58页 |
| 4.5.1 ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al存储器的机理 | 第56-58页 |
| 4.5.2 ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al存储器的存储过程 | 第58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 基于PF-TPA:TiO_2复合材料的电存储器的制备与研究 | 第60-76页 |
| 5.1 前言 | 第60-61页 |
| 5.2 锐钛矿型TiO_2的结构表征 | 第61-62页 |
| 5.2.1 透射电子显微镜(TEM) | 第61页 |
| 5.2.2 X射线衍射(XRD) | 第61-62页 |
| 5.3 PF-TPA:TiO_2复合材料的表征 | 第62-63页 |
| 5.4 ITO/PF-TPA:TiO_2/Al器件的存储性能分析 | 第63-72页 |
| 5.4.1 基于样品F器件的电存储性能 | 第63-65页 |
| 5.4.2 基于样品G器件的电存储性能 | 第65-66页 |
| 5.4.3 基于样品H器件的电存储性能 | 第66-67页 |
| 5.4.4 基于样品I器件的电存储性能 | 第67-69页 |
| 5.4.5 基于样品J器件的电存储性能 | 第69-70页 |
| 5.4.6 TiO_2对ITO/PF-TPA:TiO_2/Al器件的存储性能影响 | 第70-72页 |
| 5.5 PF-TPA:TiO_2的电子跃迁机理 | 第72-74页 |
| 5.5.1 ITO/PF-TPA:TiO_2/Al存储器的机理 | 第72-73页 |
| 5.5.2 ITO/PF-TPA:TiO_2/Al存储器的存储过程 | 第73-74页 |
| 5.6 本章小结 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间学术成果 | 第86-87页 |
