| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si：H TFT)概述 | 第8-18页 |
| 1.2.1 a-Si：H TFT结构简述 | 第8-12页 |
| 1.2.2 a-Si：H TFT工作原理 | 第12-16页 |
| 1.2.3 TFT电子迁移率的提取 | 第16-18页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 a-Si：H TFT的制备方法与表征方法 | 第20-31页 |
| 2.1 a-Si：H TFT的制备方法 | 第20-27页 |
| 2.1.1 直流磁控溅射 | 第20-23页 |
| 2.1.2 化学气相沉淀 | 第23-27页 |
| 2.2 a-Si：H TFT的表征方法 | 第27-31页 |
| 2.2.1 手动探针装置 | 第27-28页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第29-31页 |
| 第三章 a-Si：H TFT的制备与性能的研究 | 第31-41页 |
| 3.1 TFT制备的主要设备 | 第31页 |
| 3.2 TFT制备的主要原材料 | 第31-32页 |
| 3.3 4次光刻工艺简介 | 第32-35页 |
| 3.4 PECVD技7术 | 第35-41页 |
| 3.4.1 PECVD简述 | 第35页 |
| 3.4.2 PECVD原理 | 第35-37页 |
| 3.4.3 用PECVD沉积a-Si：H、SiN_x和n~+a-Si：H薄膜 | 第37-41页 |
| 第四章 实验数据分析 | 第41-52页 |
| 4.1 实验背景与实验设计分析 | 第41-45页 |
| 4.2 实验过程与结果分析 | 第45-50页 |
| 4.2.1 单因素调整试做条件G-SiNx分层以及各层膜厚调整 | 第45-46页 |
| 4.2.2 单因素调整试做条件a-Si有源层分层以及分层膜厚调整 | 第46-47页 |
| 4.2.3 单因素调整试做条件欧姆接触层单层厚度调整以及多层制备 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 发表文章 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
