| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-26页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 ZnO技术的发展 | 第8-12页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构及性质 | 第8-10页 |
| 1.2.2 ZnO掺杂 | 第10-12页 |
| 1.3 ZnO肖特基接触概述 | 第12-16页 |
| 1.3.1 ZnO肖特基结形成原理 | 第12-13页 |
| 1.3.2 ZnO肖特基接触金属的选择 | 第13-14页 |
| 1.3.3 ZnO表面预处理 | 第14-16页 |
| 1.4 ZnO薄膜晶体管 | 第16-25页 |
| 1.4.1 薄膜晶体管的基本结构及主要性能参数 | 第16-19页 |
| 1.4.2 ZnO薄膜晶体管技术的发展 | 第19-22页 |
| 1.4.3 掺杂ZnO薄膜晶体管技术的发展 | 第22-25页 |
| 1.5 本论文研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 样品制备和表征方法 | 第26-38页 |
| 2.1 样品的制备 | 第26-29页 |
| 2.1.1 溶胶凝胶法 | 第26-27页 |
| 2.1.2 纳米棒的生长方法-水热法 | 第27-29页 |
| 2.2 样品表征方法 | 第29-38页 |
| 2.2.1 ZnO薄膜材料特性表征 | 第29-31页 |
| 2.2.2 ZnO纳米棒材料特性表征 | 第31-34页 |
| 2.2.3 MIZO薄膜材料特性表征 | 第34-36页 |
| 2.2.4 器件的测试 | 第36-38页 |
| 第三章 O_2/Ar等离子体处理对ZnO薄膜结构及光学性能影响研究 | 第38-45页 |
| 3.1 O_2等离子体处理对ZnO薄膜特性影响 | 第38-41页 |
| 3.2 Ar等离子体处理对ZnO薄膜特性影响 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 O_2/Ar等离子体处理对ZnO纳米棒光学及肖特基接触特性影响研究 | 第45-58页 |
| 4.1 等离子体处理对ZnO纳米棒光学特性研究 | 第45-54页 |
| 4.1.1 O_2等离子体处理对ZnO纳米棒特性影响 | 第45-50页 |
| 4.1.2 Ar等离子体处理对ZnO纳米棒特性影响 | 第50-54页 |
| 4.2 等离子体处理对ZnO纳米棒肖特基接触特性影响 | 第54-57页 |
| 4.2.1 ZnO纳米棒肖特基接触文献综述 | 第54-55页 |
| 4.2.2 Ar等离子体处理对ZnO纳米棒肖特基接触性能影响 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 O_2/Ar等离子体处理对MIZO肖特基接触及薄膜晶体管特性影响研究 | 第58-72页 |
| 5.1 O_2等离子体处理对MIZO薄膜特性研究 | 第58-61页 |
| 5.1.1 MIZO薄膜的制备 | 第58-59页 |
| 5.1.2 O_2等离子体处理对MIZO薄膜结构性能影响 | 第59-61页 |
| 5.2 MIZO/Pt肖特基接触的特性研究 | 第61-64页 |
| 5.2.1 MIZO/Pt肖特基接触的制备 | 第61-62页 |
| 5.2.2 不同退火时间对MIZO/Pt肖特基接触特性影响 | 第62-63页 |
| 5.2.3 O_2等离子体处理对MIZO/Pt肖特基接触特性影响 | 第63-64页 |
| 5.3 等离子体处理对MIZO薄膜晶体管器件性能影响 | 第64-70页 |
| 5.3.1 薄膜晶体管制备 | 第64-66页 |
| 5.3.2 不同O_2等离子体处理时间对MIZO-TFT性能影响 | 第66-68页 |
| 5.3.3 不同Ar等离子体处理时间对MIZO-TFT性能影响 | 第68-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
