摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第12-19页 |
1.1. 光刻工艺的基本原理 | 第12-14页 |
1.2. 浸润式光刻机的简介 | 第14-17页 |
1.2.1. 光刻工艺设备的发展 | 第14-15页 |
1.2.2. 浸润部件的工作原理 | 第15-17页 |
1.3. 浸润式光刻机引入的缺陷种类及研究现状 | 第17-18页 |
1.3.1. 新型缺陷的引入 | 第17-18页 |
1.3.2. 缺陷研究的现状 | 第18页 |
1.4. 本文研究的内容 | 第18-19页 |
第二章 浸润光刻机的主要工艺缺陷成因及类型 | 第19-40页 |
2.1. 气泡缺陷的光学原理 | 第19-20页 |
2.2. 在光阻层上发现的气泡缺陷 | 第20-22页 |
2.3. 气泡的源头 | 第22-24页 |
2.3.1. 水中的气泡 | 第22页 |
2.3.2. 曝光过程中光阻的气体释放 | 第22-23页 |
2.3.3. 曝光过程卷入水中的气泡 | 第23-24页 |
2.3.4. 曝光浸润部件的设计 | 第24页 |
2.4. 由透明颗粒物或起泡而产生的缺陷 | 第24-32页 |
2.4.0. 缺陷的形貌介绍 | 第24-26页 |
2.4.1. 反气泡缺陷的形成原理 | 第26-27页 |
2.4.2. 光阻或防水层颗粒物,光阻凸起的成因 | 第27-29页 |
2.4.3. 起泡的现象及原理 | 第29-32页 |
2.5. 由非透明颗粒物产生的缺陷 | 第32-34页 |
2.5.1. 缺陷的形貌:微小桥接缺陷 | 第32页 |
2.5.2. 缺陷的构成 | 第32页 |
2.5.3. 由微小气泡构成 | 第32-33页 |
2.5.4. 由不透光的颗粒物构成 | 第33页 |
2.5.5. 由光阻与防水层之间的混合层构成 | 第33-34页 |
2.6. 水渍残留缺陷 | 第34-38页 |
2.6.1. 水渍残留缺陷的介绍 | 第34-35页 |
2.6.2. 水渍残留缺陷形成机理:水渍降低了光阻的敏感度 | 第35页 |
2.6.3. 扫面电镜SEM下的水渍残留缺陷图像 | 第35-37页 |
2.6.4. 其他水渍残留缺陷的证据 | 第37-38页 |
2.7. 本章小结 | 第38-40页 |
第三章 浸润式光刻机工艺缺陷的优化 | 第40-65页 |
3.1. 减少气泡缺陷的方法 | 第40-42页 |
3.2. 减少水渍残留缺陷的方法 | 第42-48页 |
3.2.1. 防水表面特性有助于减少水渍残留 | 第42-44页 |
3.2.2. 优化扫描曝光路径与扫描速度 | 第44-47页 |
3.2.3. 去离子水冲洗过程 | 第47页 |
3.2.4. 其他冲洗制程 | 第47-48页 |
3.3. 颗粒物数量的降低 | 第48-53页 |
3.3.1. 浸润液体中的颗粒物缺陷 | 第48-49页 |
3.3.2. 来自晶圆平台(wafer stage)的颗粒物 | 第49-50页 |
3.3.3. 晶圆的边缘区域 | 第50-53页 |
3.4. 低厚度光阻薄膜或防水层薄膜中的微小空洞 | 第53-54页 |
3.5. 定期检测项目 | 第54-58页 |
3.5.1. 常规的定期检测PDM monitor | 第54页 |
3.5.2. 定期维护保养 | 第54-58页 |
3.6. 缺陷异常时的处理 | 第58-64页 |
3.6.1. 增加跑货量 | 第59页 |
3.6.2. 对于晶元承载台wafer stage的表面进行清理 | 第59-60页 |
3.6.3. 浸润部件的清理 | 第60-63页 |
3.6.4. 对于供水系统的清理 | 第63-64页 |
3.7. 本章小结 | 第64-65页 |
第四章 优化后的效果 | 第65-71页 |
4.1. 低渗透率材料的优化结果 | 第65-66页 |
4.2. 接触角的优化结果 | 第66-67页 |
4.3. 冲洗工艺的优化效果 | 第67-68页 |
4.4. 边缘颗粒物的优化成效 | 第68-69页 |
4.5. 综合优化后的实验结果 | 第69-70页 |
4.6. 本章小结 | 第70-71页 |
第五章 浸润式工艺缺陷数量的优化总结与后续工作 | 第71-74页 |
5.1. 浸润式工艺缺陷数量的优化总结 | 第71-72页 |
5.2. 后续工作的安排 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第78-80页 |