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浸润式光刻机工艺缺陷数量的优化

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第12-19页
    1.1. 光刻工艺的基本原理第12-14页
    1.2. 浸润式光刻机的简介第14-17页
        1.2.1. 光刻工艺设备的发展第14-15页
        1.2.2. 浸润部件的工作原理第15-17页
    1.3. 浸润式光刻机引入的缺陷种类及研究现状第17-18页
        1.3.1. 新型缺陷的引入第17-18页
        1.3.2. 缺陷研究的现状第18页
    1.4. 本文研究的内容第18-19页
第二章 浸润光刻机的主要工艺缺陷成因及类型第19-40页
    2.1. 气泡缺陷的光学原理第19-20页
    2.2. 在光阻层上发现的气泡缺陷第20-22页
    2.3. 气泡的源头第22-24页
        2.3.1. 水中的气泡第22页
        2.3.2. 曝光过程中光阻的气体释放第22-23页
        2.3.3. 曝光过程卷入水中的气泡第23-24页
        2.3.4. 曝光浸润部件的设计第24页
    2.4. 由透明颗粒物或起泡而产生的缺陷第24-32页
        2.4.0. 缺陷的形貌介绍第24-26页
        2.4.1. 反气泡缺陷的形成原理第26-27页
        2.4.2. 光阻或防水层颗粒物,光阻凸起的成因第27-29页
        2.4.3. 起泡的现象及原理第29-32页
    2.5. 由非透明颗粒物产生的缺陷第32-34页
        2.5.1. 缺陷的形貌:微小桥接缺陷第32页
        2.5.2. 缺陷的构成第32页
        2.5.3. 由微小气泡构成第32-33页
        2.5.4. 由不透光的颗粒物构成第33页
        2.5.5. 由光阻与防水层之间的混合层构成第33-34页
    2.6. 水渍残留缺陷第34-38页
        2.6.1. 水渍残留缺陷的介绍第34-35页
        2.6.2. 水渍残留缺陷形成机理:水渍降低了光阻的敏感度第35页
        2.6.3. 扫面电镜SEM下的水渍残留缺陷图像第35-37页
        2.6.4. 其他水渍残留缺陷的证据第37-38页
    2.7. 本章小结第38-40页
第三章 浸润式光刻机工艺缺陷的优化第40-65页
    3.1. 减少气泡缺陷的方法第40-42页
    3.2. 减少水渍残留缺陷的方法第42-48页
        3.2.1. 防水表面特性有助于减少水渍残留第42-44页
        3.2.2. 优化扫描曝光路径与扫描速度第44-47页
        3.2.3. 去离子水冲洗过程第47页
        3.2.4. 其他冲洗制程第47-48页
    3.3. 颗粒物数量的降低第48-53页
        3.3.1. 浸润液体中的颗粒物缺陷第48-49页
        3.3.2. 来自晶圆平台(wafer stage)的颗粒物第49-50页
        3.3.3. 晶圆的边缘区域第50-53页
    3.4. 低厚度光阻薄膜或防水层薄膜中的微小空洞第53-54页
    3.5. 定期检测项目第54-58页
        3.5.1. 常规的定期检测PDM monitor第54页
        3.5.2. 定期维护保养第54-58页
    3.6. 缺陷异常时的处理第58-64页
        3.6.1. 增加跑货量第59页
        3.6.2. 对于晶元承载台wafer stage的表面进行清理第59-60页
        3.6.3. 浸润部件的清理第60-63页
        3.6.4. 对于供水系统的清理第63-64页
    3.7. 本章小结第64-65页
第四章 优化后的效果第65-71页
    4.1. 低渗透率材料的优化结果第65-66页
    4.2. 接触角的优化结果第66-67页
    4.3. 冲洗工艺的优化效果第67-68页
    4.4. 边缘颗粒物的优化成效第68-69页
    4.5. 综合优化后的实验结果第69-70页
    4.6. 本章小结第70-71页
第五章 浸润式工艺缺陷数量的优化总结与后续工作第71-74页
    5.1. 浸润式工艺缺陷数量的优化总结第71-72页
    5.2. 后续工作的安排第72-74页
参考文献第74-77页
致谢第77-78页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第78-80页

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