| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第9-11页 |
| 1.2.1 半导体气敏传感器 | 第9页 |
| 1.2.2 半导体气敏传感器的性能指标 | 第9-11页 |
| 1.3 VO_2气敏传感器概述 | 第11-14页 |
| 1.3.1 VO_2简介 | 第11-12页 |
| 1.3.2 VO_2的应用 | 第12-14页 |
| 1.3.3 VO_2气敏传感器的国内外研究现状 | 第14页 |
| 1.4 本论文的研究目的和内容 | 第14-16页 |
| 第2章 相关理论知识及分析手段 | 第16-24页 |
| 2.1 VO_2纳米棒的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.1.1 水热法 | 第16-17页 |
| 2.1.2 溅射镀膜法 | 第17-18页 |
| 2.1.3 气相传输沉积法 | 第18页 |
| 2.2 实验设备介绍 | 第18-20页 |
| 2.2.1 高温真空管式炉 | 第18-19页 |
| 2.2.2 气敏测试系统 | 第19-20页 |
| 2.3 结构与微观形貌分析技术 | 第20-24页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜（FESEM）技术 | 第20-21页 |
| 2.3.2 X射线衍射（XRD）技术 | 第21-23页 |
| 2.3.3 拉曼光谱（Raman）技术 | 第23-24页 |
| 第3章 VO_2纳米棒气敏传感器的制备与性能测试 | 第24-30页 |
| 3.1 实验流程概述 | 第24页 |
| 3.2 基于VO_2纳米棒的敏感元件的制备工艺流程 | 第24-27页 |
| 3.2.1 切割和清洗陶瓷片基底 | 第24-25页 |
| 3.2.2 管式炉热处理生长VO_2纳米棒 | 第25-26页 |
| 3.2.3 电极制备 | 第26-27页 |
| 3.3 微观结构表征 | 第27页 |
| 3.4 气敏性能测试 | 第27-30页 |
| 第4章 CVD法制备基于VO_2纳米棒的敏感元件的工艺参数及其敏感特性研究 | 第30-48页 |
| 4.1 沉积参数对VO_2纳米棒表征的影响 | 第30-35页 |
| 4.1.1 沉积压强对VO_2纳米棒表征的影响 | 第30-31页 |
| 4.1.2 沉积温度对VO_2纳米棒表征的影响 | 第31-34页 |
| 4.1.3 沉积时间对VO_2纳米棒表征的影响 | 第34-35页 |
| 4.2 CVD法制备VO_2纳米棒的生长机理研究 | 第35-37页 |
| 4.3 基于VO_2纳米棒的敏感元件对NO_2气体的敏感特性研究 | 第37-42页 |
| 4.3.1 NO_2敏感特性 | 第37-40页 |
| 4.3.2 NO_2敏感机理 | 第40-42页 |
| 4.4 基于VO_2纳米棒的敏感元件对CH_4气体的敏感特性研究 | 第42-46页 |
| 4.4.1 CH_4敏感特性 | 第42-45页 |
| 4.4.2 CH_4敏感机理 | 第45-46页 |
| 4.5 基于VO_2纳米棒的敏感元件分别对NO_2气体和CH_4气体的敏感特性比较 | 第46页 |
| 4.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 掺金对基于VO_2纳米结构的敏感元件的气敏性能的影响研究 | 第48-52页 |
| 5.1 掺金VO_2纳米材料的制备 | 第48-49页 |
| 5.2 掺金VO_2纳米片的微观结构表征 | 第49页 |
| 5.3 基于掺金VO_2纳米片的敏感元件对CH_4气体的敏感特性研究 | 第49-51页 |
| 5.3.1 掺杂金纳米颗粒对VO_2纳米材料的CH_4敏感特性的影响 | 第49-51页 |
| 5.3.2 掺杂金纳米颗粒对VO_2纳米材料的CH_4敏感机理 | 第51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第6章 实验总结与展望 | 第52-56页 |
| 6.1 实验总结与讨论 | 第52-53页 |
| 6.2 工作展望 | 第53-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
