| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 功率MOSFET发展 | 第9-10页 |
| 1.2 功率器件耐压技术 | 第10-24页 |
| 1.2.1 RESURF技术 | 第10-14页 |
| 1.2.2 VLD技术 | 第14-17页 |
| 1.2.3 横向超结技术 | 第17-21页 |
| 1.2.4 VLT技术 | 第21-24页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第24-25页 |
| 第二章 阶梯变厚度漂移区体硅LDMOS | 第25-43页 |
| 2.1 ST LDMOS器件结构及工作机理 | 第25-28页 |
| 2.2 ST LDMOS器件参数对击穿特性的影响 | 第28-32页 |
| 2.2.1 倾斜度因子t_s1 /t_s2和击穿特性的关系 | 第28-29页 |
| 2.2.2 漂移区长度L_d和击穿特性的关系 | 第29-30页 |
| 2.2.3 衬底浓度P_sub和击穿特性的关系 | 第30页 |
| 2.2.4 分区数n和击穿特性的关系 | 第30-32页 |
| 2.3 ST LDMOS器件参数对导通特性的影响 | 第32-38页 |
| 2.3.1 IV特性 | 第32-34页 |
| 2.3.2 导通电阻的提取 | 第34-36页 |
| 2.3.3 倾斜度因子t_s1 /t_s2和导通特性的关系 | 第36页 |
| 2.3.4 漂移区长度L_d和导通特性的关系 | 第36-37页 |
| 2.3.5 衬底浓度P_sub和导通特性的关系 | 第37-38页 |
| 2.3.6 区数n和导通特性的关系 | 第38页 |
| 2.4 ST LDMOS器件参数对FOM优值的影响 | 第38-41页 |
| 2.4.1 倾斜度因子t_s1 /t_s2和FOM优值的关系 | 第38-39页 |
| 2.4.2 漂移区长度L_d和FOM优值的关系 | 第39-40页 |
| 2.4.3 衬底浓度P_sub和FOM优值的关系 | 第40-41页 |
| 2.4.4 分区数n和FOM优值的关系 | 第41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 阶梯变厚度漂移区体硅LDMOS的工艺设计研究 | 第43-51页 |
| 3.1 基于RIE技术的工艺方案设计 | 第43-45页 |
| 3.1.1 反应离子刻蚀（RIE）技术 | 第43-44页 |
| 3.1.2 设计方案 | 第44-45页 |
| 3.2 工艺模拟与工艺条件优化 | 第45-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 漂移区部分氧化柱体硅LDMOS | 第51-66页 |
| 4.1 POP LDMOS器件结构及工作机理 | 第51-54页 |
| 4.2 POP LDMOS器件参数对击穿特性的影响 | 第54-59页 |
| 4.2.1 矩形氧化柱的宽度W和击穿特性的关系 | 第54-55页 |
| 4.2.2 矩形氧化柱的宽度L和击穿特性的关系 | 第55-57页 |
| 4.2.3 衬底浓度P_sub和击穿特性的关系 | 第57-58页 |
| 4.2.4 漂移区长度L_d和击穿特性的关系 | 第58-59页 |
| 4.3 POP LDMOS器件参数对导通特性的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.1 矩形氧化柱的宽度W和导通特性的关系 | 第59页 |
| 4.3.2 矩形氧化柱的长度L和导通特性的关系 | 第59-60页 |
| 4.3.3 衬底浓度P_sub和导通特性的关系 | 第60-61页 |
| 4.3.4 漂移区长度L_d和导通特性的关系 | 第61页 |
| 4.4 POP LDMOS器件参数对FOM优值的影响 | 第61-64页 |
| 4.4.1 矩形氧化柱的宽度W和FOM优值的关系 | 第61-62页 |
| 4.4.2 矩形氧化柱的长度L和FOM优值的关系 | 第62-63页 |
| 4.4.3 衬底浓度P_sub和FOM优值的关系 | 第63页 |
| 4.4.4 漂移区长度L_d和FOM优值的关系 | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 漂移区部分氧化柱体硅LDMOS的工艺设计研究 | 第66-73页 |
| 5.1 基于STI技术的工艺方案设计 | 第66-67页 |
| 5.1.1 浅沟槽隔离（STI）技术 | 第66页 |
| 5.1.2 设计方案 | 第66-67页 |
| 5.2 工艺模拟与工艺条件优化 | 第67-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 总结 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第78-79页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第79-80页 |
| 附录 3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
