| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-40页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3 高效Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池发展 | 第15-22页 |
| 1.3.1 双结GaAs太阳电池 | 第15-18页 |
| 1.3.2 GaAs三结及四结叠层太阳电池 | 第18-22页 |
| 1.4 高效多结太阳电池中的 1.0 eV材料 | 第22-25页 |
| 1.5 GaAs上In_(0.3)Ga_(0.7)As（1.0 eV）的外延生长 | 第25-27页 |
| 1.6 本论文的研究内容与目标 | 第27-29页 |
| 1.6.1 GaAs上外延生长In_(0.3)Ga_(0.7)As存在的问题 | 第27页 |
| 1.6.2 本论文的研究内容与目标 | 第27-29页 |
| 1.7 本论文的创新之处 | 第29页 |
| 参考文献 | 第29-40页 |
| 第二章 实验技术 | 第40-52页 |
| 2.1 引言 | 第40页 |
| 2.2 分子束外延生长系统 | 第40-45页 |
| 2.2.1 分子束外延设备 | 第41-42页 |
| 2.2.2 分子束外延生长动力学原理 | 第42-45页 |
| 2.3 测试表征技术 | 第45-50页 |
| 2.3.1 材料结晶质量测试 | 第45-46页 |
| 2.3.2 表面形貌表征 | 第46-47页 |
| 2.3.3 应力状态测试 | 第47-48页 |
| 2.3.4 微区结构表征 | 第48-49页 |
| 2.3.5 光电性能测试 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 GaAs衬底上大失配In_xGa_(1-x)As非晶态薄膜的生长 | 第52-64页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 不同温度下大失配In_(0.6)Ga_(0.4)As薄膜的分子束外延生长 | 第53-57页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第53-57页 |
| 3.3 不同组分大失配非晶态In_xGa_(1-x)As薄膜的生长 | 第57-59页 |
| 3.3.1 薄膜的生长 | 第57页 |
| 3.3.2 样品的表征 | 第57-59页 |
| 3.4 非晶态In_xGa_(1-x)As薄膜的形成机理 | 第59-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第四章 大失配非晶In_xGa_(1-x)As缓冲层技术生长高质量In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜 | 第64-84页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 不同厚度In_(0.6)Ga_(0.4)As非晶缓冲层上的In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜 | 第64-74页 |
| 4.2.1 薄膜的生长 | 第64-65页 |
| 4.2.2 样品的晶体质量及应力分析 | 第65-70页 |
| 4.2.3 样品的微区结构分析 | 第70-74页 |
| 4.3 不同组分In_xGa_(1-x)As非晶缓冲层上的In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜 | 第74-79页 |
| 4.3.1 薄膜的生长 | 第74页 |
| 4.3.2 样品的结晶质量及结构分析 | 第74-79页 |
| 4.4 非晶态缓冲层释放In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs之间失配应力的机制 | 第79-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第五章 基于非晶态缓冲层的In_(0.3)Ga_(0.7)As单结太阳电池结构设计及制备 | 第84-125页 |
| 5.1 引言 | 第84页 |
| 5.2 In_(0.3)Ga_(0.7)As单结太阳电池结构设计 | 第84-101页 |
| 5.2.1 In_(0.3)Ga_(0.7)As单结太阳电池的结构参数与理论模型 | 第84-88页 |
| 5.2.2 背场层结构参数优化 | 第88-90页 |
| 5.2.3 基区及发射区厚度和掺杂浓度参数优化 | 第90-94页 |
| 5.2.4 窗口层材料及参数优化 | 第94-101页 |
| 5.3 n型掺杂的In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜 | 第101-106页 |
| 5.3.1 薄膜的生长 | 第101-102页 |
| 5.3.2 不同掺杂源炉温度的In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜形貌 | 第102-103页 |
| 5.3.3 不同掺杂源炉温度In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜的电学性能 | 第103-106页 |
| 5.4 p型掺杂的In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜 | 第106-114页 |
| 5.4.1 掺杂源炉温度对p型掺杂In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜的影响 | 第106-110页 |
| 5.4.2 生长温度对In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜性能的影响 | 第110-114页 |
| 5.5 In_(0.3)Ga_(0.7)As p-n结电流-电压特性 | 第114-115页 |
| 5.6 GaAs衬底上单结In_(0.3)Ga_(0.7)As电池的制备 | 第115-121页 |
| 5.6.1 电池的生长 | 第116页 |
| 5.6.2 器件的封装 | 第116-117页 |
| 5.6.3 电池外延片的表征 | 第117-119页 |
| 5.6.4 电池的性能测试 | 第119-121页 |
| 5.7 本章小结 | 第121页 |
| 参考文献 | 第121-125页 |
| 结论 | 第125-127页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第127-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第132页 |
