InP基光子集成器件的二次外延生长

摘要	第4-5页
Abstract	第5-6页
1 绪论	第9-16页
1.1 光电集成概念	第9-10页
1.2 有源器件与无源器件的集成	第10-14页
1.3 本文主要研究内容	第14-16页
2 MOCVD外延生长与测试技术	第16-31页
2.1 MOCVD外延技术	第16-19页
2.2 MOCVD设备的组成	第19-23页
2.3 外延材料测试技术	第23-30页
2.4 本章小结	第30-31页
3 光子集成器件各外延层生长	第31-41页
3.1 可调谐波长转换器的组成	第31-32页
3.2 P-InP外延生长	第32-33页
3.3 InGaAsP层外延生长	第33-35页
3.4 P~+-InGaAs外延生长	第35-38页
3.5 全结构生长	第38-40页
3.6 本章小结	第40-41页
4 二次外延生长	第41-49页
4.1 二次外延生长前的样品刻蚀和表面处理	第41-43页
4.2 芯片清洗	第43-45页
4.3 二次外延生长	第45-48页
4.4 本章小结	第48-49页
5 总结与展望	第49-51页
致谢	第51-52页
参考文献	第52-57页
附录 攻读硕士学位期间发表论文	第57页