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可能的拓扑绝缘体BiYO3的合成与理论研究

摘要第6-7页
Abstract第7页
第一章 绪论第11-22页
    1.1 研究背景及意义第11-12页
    1.2 绝缘体与拓扑绝缘体第12-13页
    1.3 拓扑绝缘体的发展第13-19页
        1.3.1 量子霍尔效应第13-14页
        1.3.2 量子自旋霍尔效应第14-16页
        1.3.3 二维拓扑绝缘体第16-17页
        1.3.4 第一代三维拓扑绝缘体第17-18页
        1.3.5 第二代三维拓扑绝缘体第18-19页
    1.4 BiYO_3的研究进展第19-21页
        1.4.1 BiYO_3的结构第19页
        1.4.2 Bi_2O_3-Y_2O_3体系相图第19-20页
        1.4.3 YBiO_3合成研究现状第20-21页
    1.5 本论文选题的目的及研究内容第21-22页
第二章 实验与理论计算第22-28页
    2.1 方法概述第22页
    2.2 实验第22-24页
        2.2.1 实验原料与设备第22-23页
        2.2.2 样品合成第23页
        2.2.3 测试与表征第23-24页
    2.3 第一性原理计算第24-25页
    2.4 密度泛函理论第25-27页
        2.4.1 Hohenberg-Kohn定理第25页
        2.4.2 Kohn-Sham方程第25-26页
        2.4.3 局域密度近似第26页
        2.4.4 广义梯度近似第26-27页
    2.5 自旋轨道耦合第27-28页
第三章 BiYO_3的制备及Bi-Y-O相边界的确定第28-37页
    3.1 引言第28页
    3.2 温度对BiYO_3粉体制备的影响第28-31页
        3.2.1 温度系列样品物相分析第28-29页
        3.2.2 温度系列样品显微结构分析第29-31页
    3.3 反应时间对BBiYO_3粉体制备的影响第31-32页
    3.4 冷却方式BiYO_3粉体制备的影响第32页
    3.5 原料配比对BiYO_3粉体制备的影响第32-34页
    3.6 Bi-Y-O体系相边界的确定第34-36页
    3.7 本章小结第36-37页
第四章 BiYO_3的结构与性质第37-45页
    4.1 引言第37页
    4.2 BiYO_3的结构第37-42页
        4.2.1 Rietveld精修第37-39页
        4.2.2 TEM第39-40页
        4.2.3 红外光谱测试第40-42页
    4.3 BiYO_3的性质第42-44页
        4.3.1 BiYO_3的带隙第42-43页
        4.3.2 BiYO_3的磁性第43-44页
    4.5 本章小结第44-45页
第五章 BiYO_3的理论计算第45-52页
    5.1 引言第45页
    5.2 计算详情第45页
    5.3 模型结构参数第45-46页
    5.4 计算结果与讨论第46-50页
        5.4.1 不同结构的比较第46-47页
        5.4.2 能带结构第47-50页
    5.5 本章小结第50-52页
结论与展望第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-60页
攻读硕士学位期间发表的论文第60页

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