| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究的背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展态势 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要工作与贡献 | 第13页 |
| 1.4 本文的结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 低噪声放大器的指标与结构 | 第15-27页 |
| 2.1 低噪声放大器的指标 | 第15-18页 |
| 2.2 传统的低噪声放大器结构 | 第18-21页 |
| 2.3 新型低噪声放大器结构 | 第21-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 HFSS工艺模型的建立 | 第27-36页 |
| 3.1 集成电路中的元件 | 第27-30页 |
| 3.1.1 晶体管 | 第27-28页 |
| 3.1.2 电容 | 第28-29页 |
| 3.1.3 电感 | 第29-30页 |
| 3.2 工艺的选择 | 第30-31页 |
| 3.3 晶体管参数的选取 | 第31-33页 |
| 3.4 工艺模型的建立 | 第33-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 基于CMOS工艺单端低噪声放大器集成电路设计 | 第36-56页 |
| 4.1 电路系统结构及模块设计指标 | 第36-37页 |
| 4.2 原理图仿真 | 第37-44页 |
| 4.2.1 最佳输入匹配 | 第39-41页 |
| 4.2.2 最大功率输出匹配 | 第41-42页 |
| 4.2.3 级间匹配 | 第42-43页 |
| 4.2.4 参数优化 | 第43-44页 |
| 4.2.5 偏置电路设计 | 第44页 |
| 4.2.6 去耦电容设计 | 第44页 |
| 4.3 版图设计和后仿真 | 第44-50页 |
| 4.3.1 版图布局 | 第45-47页 |
| 4.3.2 寄生参数提取 | 第47-48页 |
| 4.3.3 ESD静电保护 | 第48-49页 |
| 4.3.4 后仿真 | 第49-50页 |
| 4.4 芯片测试与结果分析 | 第50-55页 |
| 4.4.1 芯片测试 | 第51-53页 |
| 4.4.2 结果分析 | 第53-55页 |
| 4.5 本章总结 | 第55-56页 |
| 第五章 基于CMOS工艺差分低噪声放大器集成电路设计 | 第56-69页 |
| 5.1 电路设计指标 | 第56页 |
| 5.2 电路改进动机 | 第56-57页 |
| 5.3 电路结构分析 | 第57-59页 |
| 5.4 原理图仿真 | 第59-62页 |
| 5.4.1 交叉耦合电容优化 | 第59-60页 |
| 5.4.2 偏置电路使能设计 | 第60-61页 |
| 5.4.3 电路工艺角仿真 | 第61-62页 |
| 5.5 版图设计与后仿真 | 第62-66页 |
| 5.5.1 差分电感设计 | 第62页 |
| 5.5.2 整体版图设计 | 第62-63页 |
| 5.5.3 金丝键合仿真 | 第63-64页 |
| 5.5.4 寄生参数仿真 | 第64-65页 |
| 5.5.5 后仿真 | 第65-66页 |
| 5.6 性能总结与对比 | 第66-67页 |
| 5.7 集成电路设计流程总结 | 第67-68页 |
| 5.8 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 全文总结 | 第69页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76-77页 |