| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本课题的主要工作 | 第10-12页 |
| 2 功分网络的理论分析与设计方法 | 第12-23页 |
| 2.1 功率分配器简介 | 第12-13页 |
| 2.2 Wilkinson型功分器 | 第13-16页 |
| 2.2.1 奇偶模分析 | 第13-15页 |
| 2.2.2 不等分Wilkinson型功分器 | 第15-16页 |
| 2.3 Gysel功分器 | 第16-20页 |
| 2.3.1 奇偶模分析 | 第16-19页 |
| 2.3.2 高功率模型分析 | 第19-20页 |
| 2.4 功分网络简介 | 第20页 |
| 2.5 功分网络的设计步骤 | 第20-21页 |
| 2.6 本章小结 | 第21-23页 |
| 3 基于LTCC的不等分功分网络的研究 | 第23-36页 |
| 3.1 LTCC工艺介绍与设计方法 | 第23-24页 |
| 3.1.1 LTCC工艺介绍 | 第23页 |
| 3.1.2 LTCC电路的设计方法 | 第23-24页 |
| 3.2 功分网络的拓扑设计 | 第24-25页 |
| 3.3 电路仿真设计 | 第25-29页 |
| 3.3.1 Wilkinson型功分器的改进设计方法 | 第26页 |
| 3.3.2 Wilkinson型功分器的小型化设计方法 | 第26-27页 |
| 3.3.3 功分器单元的电路仿真 | 第27-28页 |
| 3.3.4 功分网络的电路仿真 | 第28-29页 |
| 3.4 电磁仿真设计 | 第29-33页 |
| 3.4.1 垂直互连设计 | 第29-31页 |
| 3.4.2 功分单元的电磁仿真 | 第31页 |
| 3.4.3 功分网络整体结构 | 第31-33页 |
| 3.5 容差分析 | 第33-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 基于GaN的等分功分网络的研究 | 第36-47页 |
| 4.1 GaN材料及工艺 | 第36-37页 |
| 4.1.1 GaN材料衬底的选择 | 第36-37页 |
| 4.1.2 GaN外延技术 | 第37页 |
| 4.1.3 GaN生长难点及解决方案 | 第37页 |
| 4.2 毫米波功率合成简介 | 第37-40页 |
| 4.3 基于GaN的背靠背无源功分网络的设计 | 第40-44页 |
| 4.3.1 3dB电桥的选取 | 第40-41页 |
| 4.3.2 去电阻的Wilkinson型功分单元 | 第41-42页 |
| 4.3.3 毫米波背靠背功分网络 | 第42-44页 |
| 4.4 电路测试与结果分析 | 第44-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 5 基片集成波导Gysel型功分器的研究 | 第47-59页 |
| 5.1 基片集成波导技术 | 第47-48页 |
| 5.2 SIW窄带Gysel型功分器的设计 | 第48-50页 |
| 5.2.1 结构原理与仿真 | 第48-49页 |
| 5.2.2 过渡设计 | 第49-50页 |
| 5.3 SIW宽带Gysel型功分器的设计 | 第50-52页 |
| 5.3.1 结构原理与仿真 | 第50-51页 |
| 5.3.2 过渡设计 | 第51-52页 |
| 5.4 SIW TRL校准件及去嵌测试 | 第52-58页 |
| 5.4.1 去嵌测量及TRL校准 | 第52-53页 |
| 5.4.2 基片集成波导TRL校准件的设计 | 第53-54页 |
| 5.4.3 SIW窄带Gysel型功分器的测量与结果分析 | 第54-56页 |
| 5.4.4 SIW宽带Gysel型功分器的测量与结果分析 | 第56-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 6 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录 | 第66页 |
