| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 FLASH存储器的发展背景 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外FLASH存储器的发展现状及问题 | 第16-17页 |
| 1.3 论文工作计划及章节 | 第17-19页 |
| 1.3.1 论文工作计划 | 第17页 |
| 1.3.2 论文的优势 | 第17页 |
| 1.3.3 章节安排 | 第17-19页 |
| 第二章 FLASH存储技术综述 | 第19-31页 |
| 2.1 FLASH存储器简介 | 第19-21页 |
| 2.1.1 性能 | 第20页 |
| 2.1.2 接口说明 | 第20-21页 |
| 2.1.3 容量 | 第21页 |
| 2.1.4 软件驱动支持 | 第21页 |
| 2.2 验证流程概述 | 第21-26页 |
| 2.2.1 传统验证流程 | 第21-23页 |
| 2.2.2 传统验证平台的改进 | 第23-26页 |
| 2.3 VMM验证方法学 | 第26-31页 |
| 2.3.1 VMM验证方法学简介 | 第26页 |
| 2.3.2 传统验证与VMM验证的对比 | 第26-28页 |
| 2.3.3 VMM验证平台结构介绍 | 第28-31页 |
| 第三章 并行接口NOR FLASH芯片擦写控制器的功能设计及改进 | 第31-53页 |
| 3.1 FLASH芯片设计指标 | 第31页 |
| 3.2 FLASH芯片结构设计 | 第31-37页 |
| 3.2.1 内部模块功能介绍 | 第32-34页 |
| 3.2.2 管脚功能说明 | 第34-37页 |
| 3.3 FLASH芯片擦写控制器的功能及部分改进设计 | 第37-51页 |
| 3.3.1 锁定 | 第39-40页 |
| 3.3.2 解除锁定 | 第40页 |
| 3.3.3 Block块锁死 | 第40-41页 |
| 3.3.4 擦除操作控制器 | 第41-42页 |
| 3.3.5 写入操作控制器 | 第42-49页 |
| 3.3.6 擦写操作暂停 | 第49-50页 |
| 3.3.7 擦写恢复 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 并行接口NOR FLASH芯片擦写控制器的EDA验证 | 第53-83页 |
| 4.1 验证工作计划及平台改进 | 第53-54页 |
| 4.2 FLASH芯片擦写控制器的仿真及验证 | 第54-75页 |
| 4.2.1 VMM验证平台 | 第56-57页 |
| 4.2.2 Block锁定状态及不同状态之间的跳转 | 第57-60页 |
| 4.2.3 擦除功能验证 | 第60-63页 |
| 4.2.4 编程功能验证 | 第63-69页 |
| 4.2.5 多重擦写操作 | 第69-75页 |
| 4.3 断言 | 第75-77页 |
| 4.4 覆盖率 | 第77-80页 |
| 4.4.1 功能覆盖率收集 | 第77-78页 |
| 4.4.2 代码覆盖率 | 第78-80页 |
| 4.5 BUG描述 | 第80-81页 |
| 4.6 成片测试结果 | 第81-82页 |
| 4.7 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 主要研究成果 | 第83页 |
| 5.2 研究收获 | 第83-84页 |
| 5.3 未来研究方向 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89-90页 |
