| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 β-Ga_2O_3基本性质及研究进展 | 第10-20页 |
| 1.1 β-Ga_2O_3的结构特性 | 第10-11页 |
| 1.2 β-Ga_2O_3的光学特性 | 第11页 |
| 1.3 β-Ga_2O_3的电学特性 | 第11-12页 |
| 1.4 β-Ga_2O_3的气敏特性 | 第12页 |
| 1.5 β-Ga_2O_3材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.5.1 电致发光器件 | 第12页 |
| 1.5.2 紫外探测器 | 第12页 |
| 1.5.3 气体探测器 | 第12-13页 |
| 1.5.4 功率半导体器件 | 第13页 |
| 1.6 β-Ga_2O_3纳米材料的研究进展 | 第13-18页 |
| 1.7 本文研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 2 β-Ga_2O_3纳米材料的制备方法和表征手段 | 第20-27页 |
| 2.1 β-Ga_2O_3纳米材料的制备方法 | 第20-22页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 | 第20页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积法 | 第20-21页 |
| 2.1.3 水热法 | 第21页 |
| 2.1.4 射频磁控溅射法 | 第21-22页 |
| 2.2 β-Ga_2O_3纳米材料的表征技术 | 第22-27页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第22-24页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第24页 |
| 2.2.3 X射线衍射法（XRD） | 第24-25页 |
| 2.2.4 光致发光（PL） | 第25-26页 |
| 2.2.5 吸收光谱 | 第26-27页 |
| 3 生长温度对图形化蓝宝石衬底上 β-Ga_2O_3微米带特性的影响 | 第27-35页 |
| 3.1 实验过程 | 第27-28页 |
| 3.2 样品的表面形貌 | 第28-29页 |
| 3.3 样品的结构分析 | 第29-31页 |
| 3.4 微米带的生长机理 | 第31-32页 |
| 3.5 微米带的光学特性 | 第32-34页 |
| 3.6 小结 | 第34-35页 |
| 4 外电场辅助CVD法制备网格状 β-Ga_2O_3纳米线 | 第35-42页 |
| 4.1 样品的制备 | 第35-36页 |
| 4.2 样品的表面形貌 | 第36-38页 |
| 4.3 样品的生长机理 | 第38-39页 |
| 4.4 样品的晶体结构 | 第39-40页 |
| 4.5 样品的吸收光谱 | 第40-41页 |
| 4.6 小结 | 第41-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-48页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
