摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-44页 |
1.1 课题背景及研究意义 | 第12-13页 |
1.2 ZnO的基本性质 | 第13-15页 |
1.3 ZnO材料的研究进展 | 第15-43页 |
1.3.1 ZnO光泵浦激射器 | 第16-25页 |
1.3.2 ZnO电泵浦激光器 | 第25-31页 |
1.3.3 ZnO发光二极管 | 第31-36页 |
1.3.4 ZnO紫外探测器 | 第36-40页 |
1.3.5 ZnO纳米发电机 | 第40-43页 |
1.4 文章的选题依据和主要内容 | 第43-44页 |
第2章 ZnO材料的制备方法及表征手段 | 第44-58页 |
2.1 ZnO材料的制备方法 | 第44-50页 |
2.1.1 化学气相沉积 | 第44-45页 |
2.1.2 水热法 | 第45-46页 |
2.1.3 电化学法 | 第46-47页 |
2.1.4 分子束外延 | 第47-48页 |
2.1.5 磁控溅射 | 第48-49页 |
2.1.6 金属有机化学气相沉积 | 第49-50页 |
2.2 ZnO材料的表征手段 | 第50-57页 |
2.2.1 扫描电子显微镜 | 第50-52页 |
2.2.2 透射电子显微镜 | 第52-53页 |
2.2.3 X射线衍射 | 第53-55页 |
2.2.4 光致发光 | 第55-56页 |
2.2.5 光谱响应测试 | 第56-57页 |
2.3 小结 | 第57-58页 |
第3章 基于F-P谐振腔ZnO微米线的紫外发光的研究 | 第58-72页 |
3.1 引言 | 第58-59页 |
3.2 截面为四边形的ZnO微米线的制备及可控性生长 | 第59-63页 |
3.2.1 ZnO籽晶层的制备 | 第59-60页 |
3.2.2 ZnO微米线的制备 | 第60页 |
3.2.3 ZnO微米线的形貌和光致发光表征 | 第60-61页 |
3.2.4 生长温度对ZnO微米线尺寸的影响 | 第61-63页 |
3.3 Ag等离子体与F-P腔耦合杂化增强ZnO的光致发光 | 第63-67页 |
3.3.1 金属纳米颗粒对ZnO微米线的修饰 | 第63-64页 |
3.3.2 金属纳米颗粒修饰ZnO后等离子体增强光致发光的研究 | 第64-67页 |
3.3.3 光致发光增强机理的研究 | 第67页 |
3.4 基于ZnO微米线F-P腔模式下电致发光的研究 | 第67-71页 |
3.4.1 ZnO微米线/GaN异质结的制备 | 第68-69页 |
3.4.2 ZnO微米线/GaN异质结的电学性能的测试 | 第69页 |
3.4.3 ZnO微米线/GaN异质结的电致发光的测试 | 第69-71页 |
3.5 小结 | 第71-72页 |
第4章 Au等离子体调制的ZnO微米线电致发光器件 | 第72-88页 |
4.1 引言 | 第72-73页 |
4.2 基于单根ZnO微米线的电致发光器件 | 第73-77页 |
4.2.1 基于单根ZnO微米线的电致发光器件的制备 | 第73页 |
4.2.2 器件的性能表征 | 第73-75页 |
4.2.3 器件的发光机理的研究 | 第75-77页 |
4.3 Au等离子体对器件电致发光的调制 | 第77-83页 |
4.3.1 Au纳米颗粒的修饰 | 第77-78页 |
4.3.2 Au纳米颗粒修饰后电致发光器件的性能测试 | 第78-79页 |
4.3.3 Au纳米颗粒修饰后转移电致发光器件发光峰位的机理 | 第79-83页 |
4.4 模板可控的两种颜色的发光器件 | 第83-86页 |
4.5 小结 | 第86-88页 |
第5章 基于ZnO-Ga_2O_3核壳微米线的日盲紫外探测器 | 第88-110页 |
5.1 引言 | 第88-91页 |
5.2 Zn O-Ga_2O_3核壳微米线的制备及表征 | 第91-95页 |
5.3 日盲雪崩探测器的制备及光电性能测试 | 第95-106页 |
5.4 器件的机理研究 | 第106-109页 |
5.5 小结 | 第109-110页 |
第6章 结论与展望 | 第110-112页 |
6.1 全文总结 | 第110页 |
6.2 研究展望 | 第110-112页 |
参考文献 | 第112-124页 |
在学期间学术成果情况 | 第124-126页 |
指导教师及作者简介 | 第126-128页 |
致谢 | 第128-130页 |