| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 概述 | 第14页 |
| 1.2 超短脉冲激光器进展 | 第14-17页 |
| 1.3 脉冲激光损伤硅及硅基器件的相关研究进展 | 第17-19页 |
| 1.4 论文内容 | 第19-22页 |
| 第二章 基于DFT的半经典动力学理论的超快激光与硅作用研究 | 第22-38页 |
| 2.1 半经典半量子动力学 | 第22-25页 |
| 2.2 重叠矩阵S、哈密顿量H以及Urep参数化方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 紧束缚近似参数方法 | 第25页 |
| 2.2.2 密度泛函理论紧束缚参数方法 | 第25-29页 |
| 2.3 激光与硅相互作用过程中的介电常数计算理论方法 | 第29-33页 |
| 2.4 超快激光损伤硅的机理及半导体-金属相变 | 第33-35页 |
| 2.5 方法局限性 | 第35页 |
| 2.6 结论 | 第35-38页 |
| 第三章 基于双温模型的超短脉冲损伤金属及半导体的理论 | 第38-62页 |
| 3.1 应用于超快激光金属相互作用的基本双温模型 | 第39-46页 |
| 3.2 超快激光损伤半导体材料的改进双温模型 | 第46-48页 |
| 3.3 皮秒激光损伤硅的理论 | 第48-53页 |
| 3.4 飞秒激光损伤硅的理论 | 第53-57页 |
| 3.5 双脉冲激光损伤晶体硅理论 | 第57-62页 |
| 第四章 飞秒激光诱导硅等离子体光谱 | 第62-78页 |
| 4.1 飞秒激光诱导等离子体光谱确定硅的损伤阈值 | 第62-69页 |
| 4.1.1 实验装置 | 第62-64页 |
| 4.1.2 实验结果与讨论 | 第64-69页 |
| 4.2 双波飞秒双脉冲激光诱导硅等离子体光谱 | 第69-76页 |
| 4.2.1 双波飞秒双脉冲诱导光谱的实验装置 | 第70-71页 |
| 4.2.2 实验结果与讨论 | 第71-76页 |
| 4.3 本章小节 | 第76-78页 |
| 第五章 超短脉冲激光对电荷耦合器件损伤效应及机理 | 第78-104页 |
| 5.1 电荷耦合器件的基本原理和结构 | 第78-88页 |
| 5.1.1 光电荷产生 | 第79-81页 |
| 5.1.2 电荷包收集 | 第81-83页 |
| 5.1.3 电荷包转移 | 第83-84页 |
| 5.1.4 电荷包测量 | 第84-87页 |
| 5.1.5 CCD的结构类型 | 第87-88页 |
| 5.2 损伤阈值测试 | 第88-92页 |
| 5.3 单脉冲激光器件损伤效应与机理 | 第92-96页 |
| 5.4 多脉冲激光器件损伤效应与机理 | 第96-102页 |
| 5.4.1 到达CCD表面的激光脉冲无重叠情况 | 第96-100页 |
| 5.4.2 到达CCD表面的激光脉冲存在重叠情况 | 第100-102页 |
| 5.5 结论 | 第102-104页 |
| 第六章 结论与展望 | 第104-108页 |
| 6.1 结论 | 第104-106页 |
| 6.2 展望 | 第106-108页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-128页 |
| 指导教师及作者简介 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130页 |
