| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 氧化亚铜的基本性质和应用前景 | 第8-10页 |
| 1.1.1 氧化亚铜的基本性质 | 第8-9页 |
| 1.1.2 氧化亚铜的应用前景 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化亚铜薄膜的导电性调控研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 物理气相沉积法 | 第10页 |
| 1.2.2 化学气相沉积法 | 第10页 |
| 1.2.3 热氧化法 | 第10-11页 |
| 1.2.4 电化学沉积法 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的研究目的和研究思路 | 第12-14页 |
| 第二章 实验方法和设备 | 第14-20页 |
| 2.1 主要试剂与仪器 | 第14-15页 |
| 2.1.1 实验所用的主要试剂 | 第14页 |
| 2.1.2 实验所用的主要仪器 | 第14-15页 |
| 2.2 氧化亚铜薄膜的制备 | 第15-16页 |
| 2.2.1 制备系统 | 第15页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第15-16页 |
| 2.3 氧化亚铜材料性质的表征 | 第16页 |
| 2.3.1 形貌分析 | 第16页 |
| 2.3.2 结构成分表征 | 第16页 |
| 2.4 氧化亚铜薄膜半导体导电性和光电化学性能研究 | 第16-20页 |
| 2.4.1 半导体导电性研究 | 第16-18页 |
| 2.4.2 光电化学稳定性研究 | 第18-20页 |
| 第三章 表面活性剂浓度对氧化亚铜薄膜半导体导电性的影响 | 第20-36页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 实验 | 第20-21页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第21-34页 |
| 3.3.1 沉积电势的确定 | 第21页 |
| 3.3.2 电沉积制备氧化亚铜薄膜 | 第21-24页 |
| 3.3.3 氧化亚铜薄膜的半导体导电性 | 第24-26页 |
| 3.3.4 氧化亚铜薄膜的结构和成分 | 第26-27页 |
| 3.3.5 氧化亚铜薄膜的形貌分析 | 第27-29页 |
| 3.3.6 氧化亚铜薄膜的光吸收性质 | 第29页 |
| 3.3.7 表面活性剂浓度影响氧化亚铜薄膜半导体导电性的机理 | 第29-30页 |
| 3.3.8 氧化亚铜薄膜的光电化学性能 | 第30-34页 |
| 3.4 小结 | 第34-36页 |
| 第四章 沉积电势对氧化亚铜薄膜半导体导电性的影响 | 第36-48页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 实验 | 第36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-47页 |
| 4.3.1 沉积电势的确定 | 第36-37页 |
| 4.3.2 氧化亚铜薄膜的半导体导电性 | 第37-40页 |
| 4.3.3 氧化亚铜薄膜的结构和成分 | 第40-42页 |
| 4.3.4 氧化亚铜薄膜的形貌分析 | 第42-43页 |
| 4.3.5 氧化亚铜薄膜的光吸收性质 | 第43-45页 |
| 4.3.6 沉积电势影响氧化亚铜薄膜半导体导电性的机理 | 第45-47页 |
| 4.4 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 结论 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
