| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 半导体光催化产氢基本原理和过程及基本要求 | 第15-18页 |
| 1.2.1 半导体光催化产氢基本原理 | 第15-16页 |
| 1.2.2 半导体光催化产氢基本过程 | 第16页 |
| 1.2.3 半导体光催化产氢热力学、动力学要求 | 第16-18页 |
| 1.3 光催化产氢中“结”作用原理及其发展现状和存在的问题 | 第18-22页 |
| 1.3.1 P-N结的启示 | 第18-19页 |
| 1.3.2 基于“结”原理提高光催化产氢效率的发展现状 | 第19-21页 |
| 1.3.3 基于“结”原理提高光催化产氢效率存在的问题 | 第21-22页 |
| 1.4 本文主要研究目的与内容 | 第22-24页 |
| 2 光催化剂制备、表征方法与评价体系 | 第24-32页 |
| 2.1 实验所用药品 | 第24-25页 |
| 2.2 催化剂制备方法及特色 | 第25-27页 |
| 2.3 催化剂光催化分解水反应测评系统 | 第27-30页 |
| 2.4 催化剂表征方法 | 第30-32页 |
| 3 形貌可控单晶晶面类同质结光催化剂制备及产氢研究 | 第32-44页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 光催化剂制备方法 | 第32-33页 |
| 3.3 光催化剂微观结构及光学性能 | 第33-36页 |
| 3.4 单晶晶面有序类同质结的第一性原理验证 | 第36-37页 |
| 3.5 单晶晶面有序类同质结的实验验证 | 第37-40页 |
| 3.6 单晶晶面有序类同质结可见光产氢性能 | 第40-41页 |
| 3.7 基于晶面比例控制的单晶晶面同质节光催化产氢动力学探索 | 第41-42页 |
| 3.8 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 短程有序孪晶同质结光催化剂制备及产氢研究 | 第44-52页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 光催化剂制备方法 | 第44-45页 |
| 4.3 孪晶光催化剂结构分析及生长机理简介 | 第45-46页 |
| 4.4 Cd_(1-x)Zn_xS球形孪晶固溶体微观结构、光学及产氢性能 | 第46-47页 |
| 4.5 球形孪晶与非孪晶固溶体光催化剂产氢性能比较 | 第47-49页 |
| 4.6 孪晶有序同质结的第一性原理验证 | 第49-51页 |
| 4.7 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 长程有序孪晶同质结光催化剂制备及产氢研究 | 第52-61页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 光催化剂制备方法 | 第52-53页 |
| 5.3 一维长程有序同质结的动力学生长机理 | 第53页 |
| 5.4 长程有序孪晶同质结的微观结构、光学性能及产氢性能 | 第53-56页 |
| 5.5 长程有序孪晶同质结对光催化促进作用的实验验证 | 第56-60页 |
| 5.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 6 金属助催化剂合成机理及形貌控制理论研究 | 第61-99页 |
| 6.1 引言 | 第61页 |
| 6.2 金属助催化剂制备方法 | 第61-63页 |
| 6.3 表面扩散机理及形貌控制理论研究 | 第63-85页 |
| 6.3.1 Pd立方体种子生长表面扩散机理研究 | 第63-67页 |
| 6.3.2 Pd八面体种子生长表面扩散机理研究 | 第67-72页 |
| 6.3.3 表面保护离子对表面扩散的影响 | 第72-79页 |
| 6.3.4 利用动力学控制表面扩散作为通用方法获得金属凹面体结构 | 第79-85页 |
| 6.3.5 表面扩散小结 | 第85页 |
| 6.4 刻蚀再生长机理及形貌控制理论研究 | 第85-98页 |
| 6.4.1 基于HCl/O_2的刻蚀再生长机理及对形貌控制研究 | 第86-91页 |
| 6.4.2 基于置换反应的刻蚀再生长机理及对形貌控制研究 | 第91-98页 |
| 6.4.3 刻蚀再生长机理小结 | 第98页 |
| 6.5 本章小结 | 第98-99页 |
| 7 结论与展望 | 第99-101页 |
| 7.1 全文结论 | 第99页 |
| 7.2 展望 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-113页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第113-115页 |
