| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·单粒子效应概述 | 第11-13页 |
| ·单粒子效应机理和加固方法研究的需求迫切 | 第11-12页 |
| ·单粒子效应类型 | 第12-13页 |
| ·国内外研究现状与不足 | 第13-22页 |
| ·单粒子效应中的电荷收集 | 第13-14页 |
| ·电荷收集对SET的影响 | 第14-16页 |
| ·电荷共享效应对SET加固的影响 | 第16-17页 |
| ·DTMOS技术对单粒子效应的影响 | 第17-18页 |
| ·三阱工艺对单粒子效应的影响 | 第18-20页 |
| ·SOI工艺对单粒子效应的影响 | 第20-21页 |
| ·相关研究存在的不足 | 第21-22页 |
| ·本文的主要内容 | 第22页 |
| ·本文的组织结构 | 第22-24页 |
| 第二章 DTMOS技术对SET及电荷收集的影响 | 第24-40页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·相关研究与不足 | 第24-25页 |
| ·器件建模与模拟设置 | 第25-26页 |
| ·模拟结果与分析 | 第26-36页 |
| ·DTMOS技术对SET电压脉冲的影响 | 第26-29页 |
| ·DTMOS技术对SET电流脉冲的影响 | 第29-31页 |
| ·DTMOS技术对敏感节点电荷收集的影响 | 第31-34页 |
| ·DTMOS技术对P-hit情况的影响 | 第34-36页 |
| ·DTMOS技术加固性能评估 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 三阱工艺中影响SET及电荷收集的关键因素分析 | 第40-55页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·相关研究与不足 | 第40-41页 |
| ·器件建模与模拟设置 | 第41-42页 |
| ·模拟结果与分析 | 第42-54页 |
| ·入射粒子LET值对SET电压脉冲的影响 | 第42-44页 |
| ·入射粒子LET值对电荷收集的影响 | 第44-48页 |
| ·入射粒子LET值对双极放大效应触发速度的影响 | 第48-51页 |
| ·入射粒子LET值对双极放大效应强弱的影响 | 第51-52页 |
| ·P阱掺杂浓度对电荷收集的影响 | 第52-53页 |
| ·深N阱掺杂浓度对电荷收集的影响 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 SOI MOSFET中SET解析模型改进 | 第55-65页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·相关研究与不足 | 第55-56页 |
| ·器件建模与模拟设置 | 第56-57页 |
| ·SOI MOSFET瞬态电流脉冲SET | 第57-58页 |
| ·SET电流脉冲解析模型改进 | 第58-64页 |
| ·已有的SET电流脉冲解析模型 | 第58-61页 |
| ·改进的SET电流脉冲解析模型 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·本文工作总结 | 第65页 |
| ·工作展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第73页 |