摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 综述 | 第9-22页 |
·研究背景及意义 | 第9-12页 |
·Fe_3Si的基本性质 | 第12-14页 |
·Fe_3Si的结构 | 第12-13页 |
·Fe_3Si的性质 | 第13-14页 |
·国内外研究现状 | 第14-21页 |
·国外研究现状 | 第14-18页 |
·国内研究现状 | 第18-19页 |
·Fe_3Si的性质研究 | 第19-21页 |
·目前存在的问题 | 第21-22页 |
第二章 表征原理及设备 | 第22-34页 |
·JGP-560C型高真空多靶磁控溅射仪 | 第22-26页 |
·磁控溅射原理 | 第23-25页 |
·直流磁控溅射法 | 第25-26页 |
·射频溅射法 | 第26页 |
·高真空退火炉 | 第26-27页 |
·X射线衍射仪(XRD—X-Ray Diffraction) | 第27-33页 |
·扫描电子显微镜(SEM—Scanning Electron Microscopy) | 第33-34页 |
第三章 Fe3Si薄膜的制备 | 第34-39页 |
·沉积速率测试 | 第34页 |
·实验方案 | 第34页 |
·样品制备 | 第34-39页 |
·基片的清洗 | 第34-36页 |
·反溅 | 第36页 |
·溅射 | 第36-37页 |
·热处理条件 | 第37-38页 |
·表征方法 | 第38-39页 |
第四章 单层溅射条件下的实验分析结果 | 第39-50页 |
·单层溅射膜厚对Fe-Si化合物形成的影响 | 第39-44页 |
·单层溅射条件下单层退火温度对Fe-Si化合物形成的影响 | 第44-50页 |
第五章 双层溅射条件下的实验分析结果 | 第50-62页 |
·双层溅射膜厚对Fe-Si化合物的形成的影响 | 第50-53页 |
·双层溅射条件下退火温度对Fe-Si化合物形成的影响 | 第53-57页 |
·SEM测试结果 | 第57-62页 |
·溅射总膜厚为 240nm的样品进行的SEM测试结果。 | 第57-58页 |
·溅射总膜厚为 320nm的样品进行的SEM测试结果 | 第58-59页 |
·溅射总膜厚为 400nm的样品进行的SEM测试结果 | 第59-60页 |
·溅射总膜厚为 480nm的样品进行的SEM测试结果 | 第60页 |
·溅射总膜厚为 560nm的样品进行的SEM测试结果 | 第60-61页 |
·溅射总膜厚为 640nm的样品进行的SEM测试结果 | 第61-62页 |
第六章 总结 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
附录 | 第69页 |