| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 前言 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-33页 |
| ·超导体的基本特性与发展现状 | 第9-18页 |
| ·零电阻效应 | 第9页 |
| ·迈斯纳效应 | 第9-10页 |
| ·超导体的发展 | 第10-17页 |
| ·超导材料的应用 | 第17-18页 |
| ·约瑟夫森效应 | 第18-20页 |
| ·MgB_2超导体的结构与性质 | 第20-26页 |
| ·MgB_2的晶体结构 | 第20-21页 |
| ·MgB_2的电子能带结构 | 第21-23页 |
| ·MgB_2的同位素效应 | 第23页 |
| ·MgB_2的霍尔效应 | 第23-25页 |
| ·MgB_2的热力学相图 | 第25页 |
| ·MgB_2超导体不存在弱连接 | 第25-26页 |
| ·掺杂对MgB_2超导性能的影响 | 第26页 |
| ·MgB_2超导薄膜的制备 | 第26-30页 |
| ·MgB_2块体制备方法 | 第26-27页 |
| ·MgB_2线带材制备方法 | 第27页 |
| ·MgB_2超导薄膜的制备方法 | 第27-30页 |
| ·MgB_2超导体的主要性能参数 | 第30-31页 |
| ·超导转变温度Tc | 第30页 |
| ·临界场Hc | 第30页 |
| ·临界电流密度Jc | 第30-31页 |
| ·论文研究内容 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第二章 MgB_2超导薄膜制备工艺与表征设备 | 第33-41页 |
| ·实验设备及其原理 | 第33-35页 |
| ·磁控溅射沉积系统 | 第33-35页 |
| ·快速热处理设备 | 第35页 |
| ·表征设备及其原理 | 第35-40页 |
| ·X射线衍射仪 | 第35-36页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第36-37页 |
| ·原子力显微镜 | 第37-38页 |
| ·综合物性测试系统 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 退火工艺对磁控溅射法制备MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第41-49页 |
| ·基片与样品的表征 | 第41-42页 |
| ·基片的选择 | 第41页 |
| ·基片的清洗 | 第41-42页 |
| ·样品的表征 | 第42页 |
| ·样品的制备 | 第42页 |
| ·退火工艺对MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第42-47页 |
| ·退火温度对MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第43-45页 |
| ·退火时间对MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 磁控溅射法溅射参数对MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第49-59页 |
| ·溅射功率对MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第49-52页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·结果与分析 | 第50-52页 |
| ·溅射气压对MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第52-54页 |
| ·实验 | 第52页 |
| ·结果与分析 | 第52-54页 |
| ·溅射时间对MgB_2超导薄膜性能的影响 | 第54-57页 |
| ·实验 | 第54-55页 |
| ·结果与分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·完成的主要工作 | 第59-60页 |
| ·下一步的工作与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及科研项目情况 | 第68-69页 |