高速850nm VCSEL的研制
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·VCSEL的发展概述 | 第10-11页 |
| ·高速VCSEL的发展现状 | 第11-16页 |
| ·高速VCSEL的研究背景 | 第11-14页 |
| ·高速 850nm VCSEL的研究现状 | 第14-15页 |
| ·高速VCSEL的限制因素 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 高速VCSEL的理论基础 | 第18-34页 |
| ·VCSEL的结构及基本工作原理 | 第18-19页 |
| ·高速VCSEL的理论基础 | 第19-21页 |
| ·弛豫振荡频率对VCSEL高速特性的影响 | 第21-26页 |
| ·微分增益对VCSEL驰豫振荡频率的影响 | 第23-25页 |
| ·光子有效寿命对弛豫震荡频率的影响 | 第25-26页 |
| ·器件RC寄生参数对VCSEL高速特性的影响 | 第26-32页 |
| ·VCSEL寄生电路的建立 | 第26-27页 |
| ·VCSEL寄生电路高频特性的理论推导 | 第27-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 高速VCSEL主要影响因素的分析计算 | 第34-42页 |
| ·高速 850nm VCSEL的物理建模 | 第34-39页 |
| ·VCSEL物理模型介绍 | 第34页 |
| ·传输矩阵法和计算模拟 | 第34-38页 |
| ·仿真流程 | 第38-39页 |
| ·电流对VCSEL调制特性影响的计算分析 | 第39-41页 |
| ·VCSEL静态特性的计算分析 | 第39-40页 |
| ·电流对VCSEL调制特性影响的计算分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 高速VCSEL的设计与实验 | 第42-54页 |
| ·高速 850nm VCSEL的工艺流程 | 第42-44页 |
| ·湿法腐蚀 | 第44-45页 |
| ·AlGaAs湿氮氧化 | 第45-48页 |
| ·BCB刻蚀的研究 | 第48-53页 |
| ·BCB的特性及工艺流程 | 第48-49页 |
| ·BCB的刻蚀机理 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 高速VCSEL的特性分析 | 第54-70页 |
| ·高速 850nm VCSEL的静态特性 | 第54-57页 |
| ·高速 850nm VCSEL的小信号调制特性 | 第57-64页 |
| ·带宽与氧化孔径的关系 | 第57-59页 |
| ·电极结构对高速特性的影响 | 第59-64页 |
| ·高速 850nm VCSEL的寄生RC参数分析 | 第64-67页 |
| ·高速 850nm VCSEL的功耗 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
