| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·CMOS 图像传感器及其优势 | 第8-10页 |
| ·CIS 的发展历程 | 第10-13页 |
| ·小尺寸背照式 CIS 发展动态分析 | 第13-14页 |
| ·课题背景与目标 | 第14-15页 |
| ·本文结构 | 第15-16页 |
| 第二章 背照式 CIS 像素单元 | 第16-24页 |
| ·背照式 CIS-4T 像素基本结构 | 第16-17页 |
| ·背照式 CIS 像素单元的工作原理 | 第17-21页 |
| ·光子的入射 | 第17-18页 |
| ·光子的激发与电子的吸收 | 第18-20页 |
| ·信号电荷的收集与转移 | 第20页 |
| ·电压信号的输出 | 第20页 |
| ·4T 像素工作时序 | 第20-21页 |
| ·评价 CIS 的关键参数 | 第21-23页 |
| ·填充因子 | 第21页 |
| ·量子效率 | 第21-22页 |
| ·满阱容量 | 第22页 |
| ·图像拖尾 | 第22页 |
| ·暗电流 | 第22页 |
| ·串扰 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 背照式小尺寸 CIS 满阱容量与量子效率优化 | 第24-37页 |
| ·传统提升像素满阱容量的方法 | 第24-25页 |
| ·新 PPD 结构的设计 | 第25-30页 |
| ·整体设计思想 | 第25页 |
| ·设计步骤 1―――双 N 埋层 | 第25-27页 |
| ·设计步骤 2―――P 型插入区 | 第27-30页 |
| ·仿真结果与分析 | 第30-35页 |
| ·满阱容量 | 第31-32页 |
| ·图像拖尾 | 第32-33页 |
| ·量子效率 | 第33-34页 |
| ·与国外研究成果的对比 | 第34-35页 |
| ·新 PPD 结构引入的问题及其解决方法 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 背照式 CIS 电学串扰抑制 | 第37-54页 |
| ·背照式像素中电学串扰的产生机制 | 第37-40页 |
| ·传统解决方案 | 第40-41页 |
| ·基于背面沟槽隔离的 BTI 防串扰模型 | 第41-43页 |
| ·仿真 | 第43-45页 |
| ·器件结构参数 | 第43-44页 |
| ·输入条件的设定 | 第44页 |
| ·输出条件的设定 | 第44-45页 |
| ·仿真结果与分析 | 第45-53页 |
| ·生成的器件结构 | 第45-47页 |
| ·无 BTI 结构中严重的短波串扰 | 第47-49页 |
| ·基于 BTI 隔离的防串扰效果 | 第49-51页 |
| ·BTI 隔离的最佳实施方式 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 优化后新像素的工艺实现流程 | 第54-65页 |
| ·像素器件层背面结构的生成 | 第54-58页 |
| ·像素器件层正面结构的生成 | 第58-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第65页 |
| ·工作展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |