| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-15页 |
| ·宽带隙透明导电半导体材料的研究背景和现状 | 第11页 |
| ·In_2O_3的结构与光电性质 | 第11-12页 |
| ·In_2O_3的结构 | 第11页 |
| ·In_2O_3的光电性质 | 第11-12页 |
| ·Ga_2O_3的结构与光电性质 | 第12页 |
| ·Ga_2O_3的结构 | 第12页 |
| ·Ga_2O_3的光电性质 | 第12页 |
| ·Ga_2O_3-In_2O_3的研究现状 | 第12页 |
| ·理论与实验研究方法 | 第12-13页 |
| ·理论方法 | 第12-13页 |
| ·实验方法 | 第13页 |
| ·本课题研究的主要目的与意义 | 第13-14页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 Sn 掺杂 Ga_(1.375)In_(0.625)O_3电子结构和电学性质的理论研究 | 第15-28页 |
| ·不同 Sn 掺杂位置 Ga_(1.375)In_(0.625)O_3的电子结构和电学性质的理论研究 | 第15-23页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·模型构建与计算方法 | 第15-16页 |
| ·模型构建 | 第15-16页 |
| ·计算方法 | 第16页 |
| ·结构与讨论 | 第16-22页 |
| ·结构特性 | 第16-17页 |
| ·差分电荷密度 | 第17-18页 |
| ·能带结构 | 第18-20页 |
| ·态密度 | 第20-22页 |
| ·导电性 | 第22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| ·不同 Sn 掺杂浓度 Ga_(1.375)In_(0.625)O_3的电子结构和电学性质的理论研究 | 第23-28页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·模型构建与计算方法 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-27页 |
| ·结构稳定性及几何结构 | 第24页 |
| ·能带结构 | 第24-25页 |
| ·态密度 | 第25-26页 |
| ·导电性 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 氧空位对镓铟氧化物的电子结构和光学性质的影响 | 第28-35页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·模型构建与计算方法 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-34页 |
| ·几何结构与结构稳定性 | 第29页 |
| ·能带结构和态密度 | 第29-32页 |
| ·光学性质 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第四章 Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 多层交替结构薄膜和 Ga_(2(1-x))In_(2x)O_3薄膜的制备与光电性能研究 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 多层交替结构薄膜的制备 | 第35-36页 |
| ·周期数对 Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 多层交替结构薄膜性能的影响 | 第36-41页 |
| ·周期数对 Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜结构性质的影响 | 第36页 |
| ·周期数对 Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜光学性能的影响 | 第36-38页 |
| ·周期数对 Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜电学性能的影响 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| ·退火温度对 Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜光电性能的影响 | 第41-45页 |
| ·退火温度对 504 nm Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜结构性质的影响 | 第41-42页 |
| ·退火温度对 504 nm Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜电学性质的影响 | 第42-43页 |
| ·退火温度对 504 nm Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜光学性质的影响 | 第43页 |
| ·600oC 真空退火后二周期 Ga_2O_3-In_2O_3:Sn 薄膜的光电性质 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 结论与展望 | 第45-47页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| ·展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第54页 |
