| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-13页 |
| ·分子电子学的产生背景 | 第9-10页 |
| ·分子电子学的发展及其研究意义 | 第10-11页 |
| ·本文的研究内容、目的及意义 | 第11-13页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第13-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第13-16页 |
| ·Thomas-Fermi 模型 | 第13-14页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第14页 |
| ·交换相关泛函 | 第14-15页 |
| ·外部势 | 第15-16页 |
| ·格林函数方法 | 第16-18页 |
| ·平衡格林函数方法 | 第17页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第17-18页 |
| ·分子器件电子输运性质的第一性原理计算 | 第18-20页 |
| ·Landauer-Büttiker 公式 | 第18-19页 |
| ·分子导体电子输运性质的第一性原理计算方案 | 第19-20页 |
| ·计算模拟操作要点 | 第20-21页 |
| 第三章 不同接触位置下双嘧啶联苯分子电子输运性质的研究 | 第21-33页 |
| ·研究现状 | 第21-22页 |
| ·模型与计算方法 | 第22-23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-32页 |
| ·平衡态电导 | 第23-27页 |
| ·DD-的负微分电阻效应 | 第27-29页 |
| ·DDH 的开关和整流效应 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 末端 S 桥键对分子电子输运性质的影响 | 第33-43页 |
| ·研究现状 | 第33-34页 |
| ·末端用 N，O 修饰的双嘧啶联苯分子 | 第34-36页 |
| ·末端用 N，O，H 修饰的双嘧啶联苯分子 | 第36-41页 |
| ·方法与模型 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-41页 |
| ·用 H 修饰 S 桥键而出现的开关效应 | 第38-40页 |
| ·由于 N(或者 O)对接触位置修饰而引起的负微分电阻现象 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 总结与展望 | 第43-45页 |
| ·主要内容总结 | 第43页 |
| ·展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第53页 |