| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| ·氮化镓半导体与铁电氧化物 | 第13-21页 |
| ·氮化镓的结构与基本物性 | 第13-15页 |
| ·铁电氧化物的结构与基本物性 | 第15-20页 |
| ·铁电氧化物的结构与基本物性 | 第20-21页 |
| ·铁电/半导体异质薄膜的界面物性及研究现状 | 第21-26页 |
| ·异质界面：AlGaN/GaN 和铁电/半导体界面 | 第21-25页 |
| ·畴壁界面：铁电畴壁 | 第25-26页 |
| ·界面研究中存在的主要科学技术问题 | 第26-27页 |
| ·论文选题以及研究方案 | 第27-29页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第29-37页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN 半导体异质薄膜的外延制备方法 | 第29-31页 |
| ·微结构的分析与表征方法 | 第31-34页 |
| ·X 射线衍射 | 第31-32页 |
| ·透射电子显微镜 | 第32-33页 |
| ·原子力显微镜 | 第33-34页 |
| ·铁电体和半导体的电性能检测 | 第34-37页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 异质界面的局域C-V 特性表征研究 | 第37-65页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·基于原子力显微镜的探针电容检测原理 | 第38-45页 |
| ·探针电容检测系统的设计 | 第38-41页 |
| ·原子力显微镜探针电容的组成 | 第41-45页 |
| ·AlGaN/GaN 异质界面二维电子气的局域电容-电压特性 | 第45-63页 |
| ·AlGaN/GaN 异质界面的局域C-V 特性 | 第45-48页 |
| ·探针—AlGaN/GaN 的电场分布与电容 | 第48-55页 |
| ·AlGaN/GaN 异质界面局域2DEG 的定量检测 | 第55-58页 |
| ·超薄缓冲层对异质界面2DEG 局域特性的影响 | 第58-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第四章 铁电/AlGaN/GaN 的界面电荷陷阱表征研究 | 第65-100页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·铁电/半导体异质薄膜界面电荷陷阱的检测原理 | 第66-74页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN 界面陷阱电荷态的等效电导模型 | 第66-71页 |
| ·影响等效电导检测的主要因素 | 第71-74页 |
| ·铌酸锂型铁电/AlGaN/GaN 的界面电荷陷阱的研究 | 第74-88页 |
| ·LiNb0_3/AlGaN/GaN 异质薄膜的外延生长 | 第74-76页 |
| ·界面电荷陷阱态的性质 | 第76-81页 |
| ·界面电荷对C-V 回滞特性的影响 | 第81-85页 |
| ·陷阱态对导电机制的影响 | 第85-88页 |
| ·钙钛矿型铁电/AlGaN/GaN 的界面电荷陷阱的研究 | 第88-98页 |
| ·PZT/AlGaN/GaN 异质薄膜外延生长与缓冲层 | 第88-89页 |
| ·缓冲层对界面电荷陷阱的调控作用 | 第89-93页 |
| ·缓冲层对导电机制的影响 | 第93-98页 |
| ·小结 | 第98-100页 |
| 第五章 铁电畴壁界面和极化反转的表征研究 | 第100-120页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·铁电薄膜畴壁界面的表征 | 第101-111页 |
| ·电极式PFM 的检测原理 | 第101-105页 |
| ·PZT/SRO/STO 薄膜极化反转特性 | 第105-109页 |
| ·PZT/SRO/Ti0_2/GaN 薄膜极化反转特性 | 第109-111页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN 异质薄膜的电畴与极化特性 | 第111-118页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN 异质薄膜的PFM 表征 | 第111-115页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN 异质薄膜的电畴结构与退极化 | 第115-118页 |
| ·小结 | 第118-120页 |
| 第六章 主要结论与创新点 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-135页 |
| 攻博期间的研究成果及发表的学术论文 | 第135-137页 |
