| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-34页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO 材料的研究热点 | 第16-17页 |
| ·p 型 ZnO 材料的研究进展 | 第17-25页 |
| ·I 族元素单一受主掺杂 | 第17-19页 |
| ·IB 族元素单一受主掺杂 | 第19页 |
| ·V 族元素单一受主掺杂 | 第19-24页 |
| ·受主-施主共掺杂 | 第24-25页 |
| ·双受主共掺杂 | 第25页 |
| ·目前 ZnO 材料研究中存在的物理问题 | 第25-26页 |
| ·论文选题依据和研究内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备技术和性能表征手段 | 第34-48页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第34-38页 |
| ·磁控溅射技术 | 第34-37页 |
| ·热退火设备 | 第37-38页 |
| ·ZnO 薄膜的性能表征手段 | 第38-47页 |
| ·X 射线衍射谱（XRD） | 第38-40页 |
| ·霍尔效应测量（Hall） | 第40-42页 |
| ·X 射线散射能谱（EDS） | 第42页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第42-43页 |
| ·紫外-可见吸收光谱 | 第43-44页 |
| ·光致发光光谱（PL） | 第44-45页 |
| ·俄歇电子光谱（AES） | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 磷掺杂p型ZnO薄膜的受主类型及其导电性转变机制的研究 | 第48-66页 |
| ·前言 | 第48页 |
| ·磷掺杂 ZnO 薄膜的制备 | 第48-49页 |
| ·靶材的制备 | 第48-49页 |
| ·薄膜的制备 | 第49页 |
| ·磷掺杂 ZnO 薄膜的性能研究 | 第49-61页 |
| ·退火温度对磷掺杂 ZnO 薄膜结构的影响 | 第49-52页 |
| ·退火温度对磷掺杂 ZnO 薄膜电学性质的影响 | 第52-54页 |
| ·退火温度对磷掺杂 ZnO 薄膜光学性质的影响 | 第54-59页 |
| ·磷掺杂 ZnO 薄膜的 X 射线光电子能谱分析 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 第四章 镁对磷掺杂 ZnO 薄膜中磷的化学态及 p 型导电行为的影响 | 第66-84页 |
| ·前言 | 第66-67页 |
| ·磷掺杂 ZnO 和 MgZnO 薄膜的制备 | 第67-68页 |
| ·靶材的制备 | 第67页 |
| ·薄膜的制备 | 第67-68页 |
| ·Mg 对磷掺杂 ZnO 薄膜性能的影响 | 第68-78页 |
| ·磷掺杂 ZnO 和 MgZnO 薄膜的组分和结构表征 | 第68-70页 |
| ·磷掺杂 ZnO 和 MgZnO 薄膜的电学性质分析 | 第70-71页 |
| ·磷掺杂 ZnO 和 MgZnO 薄膜的光学性质分析 | 第71-76页 |
| ·磷掺杂 ZnO 和 MgZnO 薄膜的光电子能谱分析 | 第76-78页 |
| ·第一性原理研究 Mg 对 VZn 形成能的影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 第五章 ZnO 薄膜中锌间隙电子结构的表征 | 第84-98页 |
| ·前言 | 第84-85页 |
| ·未掺杂 ZnO 薄膜的制备 | 第85页 |
| ·靶材的制备 | 第85页 |
| ·薄膜的制备 | 第85页 |
| ·未掺杂 ZnO 薄膜的性能研究 | 第85-94页 |
| ·未掺杂 ZnO 薄膜的结构分析 | 第85-86页 |
| ·未掺杂 ZnO 薄膜的 X 射线光电子能谱分析 | 第86-89页 |
| ·ZnO 薄膜的俄歇电子光谱分析 | 第89-90页 |
| ·ZnO 薄膜的电学性质分析 | 第90-91页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光光谱分析 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第六章 全文总结 | 第98-100页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 作者简历 | 第104页 |
