| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10-13页 |
| ·铌酸锂的晶体结构及物理性质 | 第13-16页 |
| ·LNO 的晶体结构 | 第13页 |
| ·LNO 的物理性质 | 第13-16页 |
| ·铌酸锂晶体及薄膜的应用研究进展 | 第16-20页 |
| ·声表面波器件 | 第16-17页 |
| ·光波导器件 | 第17-18页 |
| ·激光器件 | 第18-19页 |
| ·体全息存储 | 第19-20页 |
| ·铌酸锂薄膜的制备方法概述 | 第20-24页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第20-21页 |
| ·外延法制膜 | 第21-22页 |
| ·溶胶—凝胶(sol-gel)法制膜 | 第22页 |
| ·脉冲激光沉积镀膜 | 第22页 |
| ·溅射法镀膜 | 第22-24页 |
| 第二章 磁控溅射镀膜技术的基本原理 | 第24-41页 |
| ·磁控溅射镀膜技术的研究进展及优越性 | 第24-27页 |
| ·磁控溅射镀膜技术的研究进展 | 第24-27页 |
| ·磁控溅射镀膜的优越性 | 第27页 |
| ·磁控溅射技术的基本原理与薄膜生长过程 | 第27-33页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第27-31页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第31-33页 |
| ·磁控溅射技术类型 | 第33-36页 |
| ·工艺参数对磁控溅射过程的影响 | 第36-41页 |
| ·气体流量对薄膜沉积速率的影响 | 第36-37页 |
| ·射频功率对薄膜沉积速率的影响 | 第37页 |
| ·靶与衬底的距离对薄膜沉积速率的影响 | 第37-40页 |
| ·溅射气压对薄膜沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| 第三章 LiNbO_3/Nb:SrTiO_3异质结的制备与表征 | 第41-51页 |
| ·异质结的制备 | 第41-42页 |
| ·X 射线衍射谱 | 第42-45页 |
| ·拉曼光谱 | 第45-48页 |
| ·透射谱 | 第48-51页 |
| 第四章 LiNbO_3/Nb:SrTiO_3异质结的电学特性 | 第51-65页 |
| ·半导体异质结及其能带结构 | 第51-54页 |
| ·突变反型异质结的能带图 | 第51-53页 |
| ·突变同型异质结的能带图 | 第53-54页 |
| ·半导体异质结中的电流传输机制 | 第54-56页 |
| ·肖特基发射模型 | 第54-55页 |
| ·Poole-Frenkel 发射模型 | 第55页 |
| ·Fowler-Nordheirn 隧穿模型 | 第55页 |
| ·空间电荷限制电流模型 | 第55-56页 |
| ·LiNbO_3/Nb:SrTiO_3异质结的电流电压特性 | 第56-61页 |
| ·LiNbO_3/Nb:SrTiO_3异质结的电阻开关现象 | 第61-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-66页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
