4He和12C离子卢瑟福背散射的Geant4模拟
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·卢瑟福背散射与离子束分析方法对比 | 第11-13页 |
| ·卢瑟福背散射蒙特卡罗模拟研究 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 卢瑟福背散射基本原理 | 第15-26页 |
| ·带电粒子与物质相互作用的特征 | 第15-19页 |
| ·带电粒子在物质中的慢化过程 | 第15-17页 |
| ·Bethe-Bloch 电子阻止本领 | 第17-19页 |
| ·卢瑟福背散射基本原理 | 第19-23页 |
| ·运动学因子： | 第19-22页 |
| ·微分散射截面 | 第22-23页 |
| ·卢瑟福背散射分析应用 | 第23-24页 |
| ·背散射谱特点 | 第24-26页 |
| 第三章 蒙特卡罗方法的程序包—Geant4 | 第26-31页 |
| ·蒙特卡罗思想简介 | 第26页 |
| ·Geant4 软件介绍 | 第26-29页 |
| ·什么是 CLHEP？ | 第27-28页 |
| ·Geant4 模块关系图 | 第28-29页 |
| ·Geant4 程序简单结构 | 第29-31页 |
| 第四章 卢瑟福背散射模型建立 | 第31-37页 |
| ·卢瑟福背散射模拟实验搭建 | 第31-36页 |
| ·几何模型实现 | 第31-32页 |
| ·Geant4 模拟卢瑟福背散射可视化输出 | 第32-33页 |
| ·模拟源粒子 | 第33-34页 |
| ·物理过程 | 第34-36页 |
| ·模拟技巧 | 第36-37页 |
| 第五章 卢瑟福背散射 Geant4 模拟 | 第37-47页 |
| ·~4He 离子在 Au 膜中散射的角分布 | 第37-38页 |
| ·薄膜厚度对背散射谱的影响 | 第38-40页 |
| ·不同材料对背散射谱的影响 | 第40-42页 |
| ·多层膜分析 | 第42-43页 |
| ·离子注入分析 | 第43页 |
| ·不同入射离子能量对背散射谱的影响 | 第43-45页 |
| ·不同入射离子对背散射谱的影响 | 第45-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 附录 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
