摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
目录 | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-19页 |
第一节 半导体纳米材料技术发展 | 第10-11页 |
·新型半导体技术发展 | 第10页 |
·纳米科学与半导体纳米材料 | 第10-11页 |
第二节 气体传感器概述 | 第11-14页 |
·气体传感器简介 | 第11-12页 |
·半导体型气体传感器 | 第12-14页 |
·半导体型气体传感器的研究概况 | 第12页 |
·常见半导体气体传感器敏感材料 | 第12-13页 |
·半导体型气体传感器的气敏机理 | 第13-14页 |
·半导体型气体传感器的发展趋势 | 第14页 |
第三节 课题的介绍 | 第14-19页 |
·本课题的研究意义 | 第14-16页 |
·国内外研究进展 | 第16页 |
·课题的设计 | 第16-19页 |
·敏感材料的选取 | 第16-17页 |
·主要研究内容及创新点 | 第17-19页 |
第二章 基于 SnO_2-ZnO 的紫外光增感型乙醇薄膜传感器的研究 | 第19-31页 |
第一节 薄膜型器件结构设计 | 第19-20页 |
·平面型器件结构设计 | 第19-20页 |
·电极加热部分测试 | 第20页 |
第二节 溶胶凝胶法制备 ZnO-SnO_2复合纳米薄膜器件 | 第20-23页 |
·实验药品和仪器 | 第21页 |
·ZnO-SnO_2复合纳米薄膜的制备流程 | 第21-22页 |
·溶胶的制备 | 第22页 |
·薄膜的制备 | 第22-23页 |
第三节 复合薄膜的表征和分析 | 第23-25页 |
·薄膜的 SEM 形貌表征 | 第23-24页 |
·薄膜的 XRD 表征 | 第24页 |
·紫外可见光吸收光谱测试 | 第24-25页 |
第四节 复合纳米薄膜型器件气敏性能测试 | 第25-30页 |
·器件气敏性能测试系统 | 第25-26页 |
·器件气敏性能测试 | 第26-30页 |
·器件最佳工作电流的测试 | 第26-27页 |
·最佳配比器件的选取 | 第27-28页 |
·最佳配比器件的气体选择性测试 | 第28页 |
·气体浓度对器件灵敏度的影响 | 第28-30页 |
本章小结 | 第30-31页 |
第三章 基于 SnO_2-ZnO 紫外光增强型室温 NO_2气体传感器 | 第31-40页 |
第一节 NO_2气体传感器简介 | 第31页 |
第二节 ZnO–SnO_2气敏材料的合成与表征 | 第31-34页 |
·ZnO–SnO_2复合纳米材料制备 | 第31-32页 |
·实验药品试剂 | 第31-32页 |
·ZnO 纳米棒的制备 | 第32页 |
·ZnO-SnO_2 复合纳米材料的制备 | 第32页 |
·ZnO–SnO_2复合纳米材料表征和分析 | 第32-34页 |
·复合纳米材料的 XRD 测试 | 第32-34页 |
·复合纳米材料的 SEM 和 TEM 表征 | 第34页 |
第三节 ZnO–SnO_2紫外光增强型器件制作与气敏性能测试 | 第34-39页 |
·器件制作与静态测试系统的搭建 | 第34-36页 |
·气敏元件制作 | 第34-35页 |
·气件测试平台 | 第35-36页 |
·ZnO–SnO_2器件气敏性能测试 | 第36-39页 |
·最佳配比器件的选取 | 第36-37页 |
·气件选择性 | 第37页 |
·器件响应恢复特性 | 第37-39页 |
本章小结 | 第39-40页 |
第四章 化学浴淀积法制备的 ZnO 薄膜型室温气体传感器 | 第40-47页 |
第一节 化学浴沉积法介绍 | 第40页 |
第二节 ZnO 分等级阵列薄膜材料的制备 | 第40-42页 |
·实验药品试剂 | 第40-41页 |
·CBD 法制备 ZnO 分等级结构阵列薄膜 | 第41-42页 |
·基片清洗和预处理 | 第41页 |
·化学浴淀积制备 ZnO 薄膜 | 第41-42页 |
第三节 ZnO 薄膜材料表征 | 第42-43页 |
第四节 ZnO 纳米棒簇的生长过程 | 第43-44页 |
第五节 ZnO 薄膜气敏性能测试 | 第44-46页 |
本章小结 | 第46-47页 |
第五章 紫外光增感原理和分析 | 第47-50页 |
第一节 半导体氧化物紫外光照气敏机理解释 | 第47页 |
第二节 复合材料光照气敏机理 | 第47-50页 |
结论 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-55页 |
作者简介 | 第55-57页 |
致谢 | 第57页 |