反应室气压调节对Mg掺杂GaN的影响

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
1 绪论	第9-22页
·MOCVD的概述	第9-10页
·MOCVD简介	第9页
·MOCVD的发展及国内外情况	第9-10页
·GaN材料的概述	第10-22页
·宽禁带半导体材料的发展	第10页
·GaN材料的基本性质	第10-15页
·GaN材料的结构性质	第10-12页
·GaN材料的电学性质	第12页
·GaN材料的光学性质	第12-13页
·GaN材料的化学性质	第13-15页
·GaN材料的制备方法	第15-22页
·体单晶生长	第15页
·异质外延生长GaN	第15-22页
2 外延设备及其表征手段	第22-33页
·MOCVD生长系统概述	第22-29页
·MOCVD的生长过程	第22页
·MOCVD的生长系统	第22-25页
·德国AXITRON公司生产的MOCVD系统	第25-28页
·GaN生长的原材料	第28-29页
·实验表征手段	第29-33页
·X射线衍射(XRD)	第29页
·霍尔(Hall)测试	第29-31页
·光致发光光谱(PL)	第31-32页
·原子力显微镜(AFM)	第32-33页
3 反应室气压对Mg掺杂GaN的影响	第33-41页
·实验过程	第33-34页
·结果与讨论	第34-39页
·原位检测对生长速率的分析	第34-35页
·X射线衍射(XRD)分析	第35-36页
·光致发光谱(PL)分析	第36-37页
·霍尔效应(Hall)分析	第37-38页
·原子力显微镜(AFM)分析	第38-39页
·本章小结	第39-41页
结论	第41-42页
参考文献	第42-46页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第46-47页
致谢	第47-48页